Los MOSFET de potencia de silicio de drenaje múltiple STMicroelectronics STPOWER MDmesh M9 y DM9 N-Channel Superjunction son ideales para fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) en aplicaciones que van desde servidores de centros de datos e infraestructura 5G hasta televisores de pantalla plana.
Los primeros dispositivos que se lanzarán son el STP65N045M9 de 650V y el STP60N043DM9 de 600V. Ambos tienen baja resistencia (RDS(on)) por unidad de área, lo que maximiza la densidad de potencia y permite dimensiones compactas del sistema. Cada uno tiene el mejor RDS(on) máximo (RDS(on)max) de su clase, 45mΩ para el STP65N045M9 y 43mΩ para el STP60N043DM9.
Con una carga de compuerta (Qg) extremadamente baja, generalmente 80 nC a un voltaje de drenaje de 400 V, estos dispositivos tienen la mejor figura de mérito (FoM) RDS(on)max x Qg disponible actualmente.
El voltaje umbral de la puerta (VGS(th)), típicamente 3,7 V para el STP65N045M9 y 4,0 V para el STP60N043DM9, minimiza las pérdidas de conmutación de encendido y apagado en comparación con los MDmesh M5 y M6/DM6 anteriores. Las series MDmesh M9 y DM9 también cuentan con una carga de recuperación inversa (Qrr) y un tiempo de recuperación inversa (trr) muy bajos, lo que contribuye aún más a mejorar la eficiencia y el rendimiento de la conmutación.
Otra característica de las últimas tecnologías MDmesh de alto voltaje de ST es un proceso de difusión de platino adicional que garantiza un diodo de cuerpo intrínseco rápido. La pendiente máxima de recuperación del diodo (dv/dt) es mayor que en procesos anteriores.
Todos los dispositivos que pertenecen a la tecnología MDmesh DM9 son extremadamente robustos y pueden soportar dv/dt hasta 120V/ns hasta 400V.