STMicroelectronics, un proveedor global de semiconductores, y MACOM Technology Solutions Holdings, un proveedor de productos semiconductores para las industrias de telecomunicaciones, industrial, defensa y centros de datos, anunciaron la producción exitosa de nitruro de silicio y galio por radiofrecuencia (RF GaN-on - Si) prototipos.
Con este logro, ST y MACOM continuarán trabajando juntos y mejorando nuestra relación.
GaN-on-Silicon RF ofrece un alto potencial para infraestructura 5G y 6G. La tecnología de potencia de RF existente desde hace mucho tiempo, el semiconductor de óxido metálico de difusión lateral (LDMOS), dominó los amplificadores de potencia de RF (PA) de primera generación. GaN puede ofrecer características de RF superiores y una potencia de salida significativamente mayor que LDMOS para estos PA de RF.
Es más: se puede fabricar en obleas de silicio o de carburo de silicio (SiC). RF GaN-on-SiC puede ser más costoso debido a la competencia por las obleas de SiC de aplicaciones de alta potencia y debido a su procesamiento de semiconductores no convencional. Por otro lado, se espera que la tecnología GaN-on-Si desarrollada por ST y MACOM ofrezca un rendimiento competitivo combinado con grandes economías de escala, posibles gracias a su integración en flujos de procesos de semiconductores estándar.
Los prototipos de obleas y dispositivos fabricados por ST han alcanzado objetivos de coste y rendimiento que les permitirían competir eficazmente con las tecnologías LDMOS y GaN-on-SiC existentes en el mercado. Estos prototipos avanzan ahora hacia los próximos grandes hitos: la cualificación y la industrialización.
ST está en camino de lograr estos hitos en 2022. Con este progreso, ST y MACOM han iniciado conversaciones para ampliar aún más sus esfuerzos para acelerar la entrega al mercado de productos avanzados de RF de GaN-on-Si.
"Creemos que la tecnología ha alcanzado niveles de rendimiento y madurez de proceso en los que puede desafiar eficazmente los LDMOS y GaN-on-SiC establecidos y podemos ofrecer ventajas atractivas en costos y cadena de suministro para aplicaciones de gran volumen, incluida la infraestructura inalámbrica", dijo Edoardo. Merli, director general del subgrupo de transistores de potencia y vicepresidente ejecutivo de STMicroelectronics. "La comercialización de productos RF de GaN sobre silicio es el próximo gran hito en nuestra colaboración con MACOM y, con un progreso continuo, esperamos aprovechar plenamente el potencial de esta apasionante tecnología".
"Juntos, continuamos logrando buenos avances en el avance de la tecnología GaN-on-Si hacia la comercialización y la producción de alto volumen", añadió Stephen G. Daly, presidente y director ejecutivo de MACOM. "Nuestra colaboración con ST es una parte importante de nuestra estrategia de RF Power y estoy seguro de que podemos ganar participación de mercado en aplicaciones específicas donde la tecnología GaN-on-Silicon cumple con los requisitos técnicos".
