Considere um transistor NPN em configuração de emissor comum. Nesta configuração a corrente de base é I_b é a corrente de entrada e a corrente de coletor I_C é a corrente de saída.

Nós sabemos, eu_C = eu_C + eu_b

e eu_C = αI_E + eu_CBO

= (eu_C + eu_b) + eu_CBO ou
EU_C (1-α) = αI_b + eu_CBO

EU_C = (α/(1-α))I_b + eu_CBO/(1-α)

Configuração de emissor comum

Fator de ganho atual

A relação entre a corrente do coletor e a corrente de base é chamada de relação de transferência de corrente direta CC ou ganho CC. É denotado por β._{Corrente direta}. Era para ser o beta da DC.

Ganho DC do emissor comum β_{Corrente direta} = eu_C/EU_b

Onde eu_C e eu_b são as correntes de coletor e de base de um ponto operacional específico na faixa linear. Como o valor da corrente de base está em microamperes e é baixo, o valor de β_{Corrente direta} está na faixa de 10 a 500 dependendo do tipo de transistor.

Ganho AC do emissor β_{Corrente direta} é definido como a razão entre a pequena mudança na corrente do coletor ΔI_b em tensão coletor-emissor constante V_CE.

β_{Corrente direta} = ΔI_C/ΔI_E Uma televisão_CE = constante

• Potencial elétrico e diferença de potencial

Relação entre α_{Corrente direta} e β_{Corrente direta}

Nós conhecemos o eu _E = eu_C + eu_b —> eu
Divisão por I_C

EU_E/EU_C = 1+(eu_b/EU_C)

1/α = 1 + (1/β) = (β+1) / β ( ∴ α = I_C / EU_E e β = eu_C/EU_b)

α = β / (β+1) ——> ii

Se multiplicarmos a equação acima obtemos
α(β+1) =β
αβ+α =β
α = β – αβ = β (1 – α)
β = α / (α+1) ——-> iiii

Equação (ii) ->
α = β / (β+1)
1-α = 1 – (β / (β+1)) ——>iv

Da equação (iii) pode-se ver que β se aproxima do infinito à medida que α se aproxima de 1.

Isto significa que o ganho de corrente do transistor conectado ao emissor é muito alto. Por esta razão, são utilizados transistores conectados ao emissor.

Nós sabemos que eu_C = (αI_b / (1-α)) + eu_CBO / (1-α) ->v

Como β+1 = 1 / (1-α) e 1-α= 1 / (β+1), temos

EU_C = βI_b + (β+1)eu_CBO ——->vi

O termo “(β+1)I_CBO”É a corrente reversa no circuito emissor. É denotado por I._CEO.

EU_CEO = (β+1)I_CBO ——>vii

Como β é muito maior que I, eu_CEO>eu_CBO.

Substituindo o valor de I_CEO na equação vi obtemos
EU_C = βI_b + eu_CEO ——->viii

Como β = α / (α+1), podemos escrever
EU_CEO = (α / (1-α)) eu_CBO ——->ix

EU_CEO = eu_CEO / (1-α)

• A corrente de fuga no circuito emissor é maior do que no circuito base. EU_CE é a corrente do coletor que flui quando o circuito base-emissor é deixado aberto e a junção coletor-base é polarizada reversamente. Ele flui na mesma direção que a corrente normal do coletor que flui através do transistor e depende da temperatura.

Características do circuito emissor

A figura acima mostra a configuração experimental para determinar a característica estática de um transistor NPN em um circuito emissor. Duas fontes de alimentação variáveis ​​​​reguladas por DC V_BB e V_CCC estão conectados aos terminais base e coletor de um transistor.

• Um microamperímetro e um voltímetro são conectados para medir a corrente de base I._b e V_SERe um miliamperímetro e um voltímetro estão conectados para medir I_C e V_CE no circuito.

Característica de entrada (V_SER contra mim_b)V_CE= constante

As características de entrada são obtidas registrando a tensão base-emissor V_SER vs. corrente de base I_b mantenha V_CE constante. As características são registradas para diferentes valores da tensão coletor-emissor V._CE.

Podemos derivar os seguintes pontos importantes das características de entrada:

• Existe um limite, uma tensão de desligamento Vγ, abaixo do qual a corrente de base I_b é muito pequeno. O valor da tensão de ativação é de 0,5 V para transistores Si e 0,1 V para transistores GE.
• Após a tensão de ligação, a corrente de base é I_b aumenta rapidamente quando a tensão base-emissor V aumenta apenas ligeiramente_SER. Entretanto, deve-se notar que o valor da corrente de base não aumenta tão rapidamente quanto o da característica de entrada de uma configuração de base comum. Isso significa que a resistência dinâmica de entrada é baixa configuração de emissor comum Porém, comparado à configuração CB, é um pouco maior.
• Para um valor fixo de V_SEREU_b aumenta com V_CE reduzido. Um grande valor de V_CE leva a uma tensão reversa maior na junção PN da base do coletor. Isto aumenta a zona de depleção e reduz a largura efetiva da base, o que por sua vez reduz a corrente de base.
• A resistência de entrada dinâmica ou CA pode ser determinada a partir da característica de entrada. É definido como a razão entre uma pequena mudança na tensão base-emissor e a mudança resultante na corrente base a uma tensão constante do emissor.

• Fatores que afetam a resistência

Características de saída (V_CE contra mim_C) em eu_b=constante

• As características de saída das curvas do circuito emissor são obtidas registrando V_CE contra eu_C para diferentes valores de I_bA corrente do coletor varia com V_CE para valores entre 0V e 1V. A corrente do coletor varia com V_CE para valores entre 0V e 1V. Após esta corrente de coletor eu_C torna-se quase constante e atinge valores de saturação. Os transistores são operados na faixa acima da tensão de joelho. Esta área é chamada de área ativa. O experimento é repetido para diferentes valores de I._b.
• As características de saída podem ser divididas em três áreas. Eles são

1. Faixa de saturação
2. Área de recorte
3. Região ativa

• Na figura acima, a área ativa é a área à direita da ordenada V_CE = alguns décimos de tensão e acima de I_b = 0.
• Idealmente, se V_CE Excede 0,7V, a junção base-coletor torna-se polarizada reversamente e o transistor entra na região ativa ou linear de sua operação. Uma vez que a conexão base-coletor é polarizada reversamente,_C estabiliza e permanece quase constante para um determinado valor de I_b como V_CE continua a subir. Na verdade_C aumenta muito ligeiramente quando V_CE aumenta devido à expansão da zona de esgotamento do coletor base. Este fenômeno é chamado de efeito de quase acidente.
• Se a corrente de base I_b é zero, há uma pequena corrente de coletor. Isso é chamado de corrente de fuga. Porém, na prática, quando a corrente de base é zero, a corrente de coletor é zero. Nesta condição diz-se que o transistor está bloqueado. A pequena corrente do coletor é chamada de corrente reversa do coletor.
• Se você_CE atinge uma tensão suficientemente alta, a junção do coletor com polarização reversa se rompe e a corrente do coletor, portanto, aumenta rapidamente. Se você_CE for superior a 40 V, o diodo coletor quebra e a função normal do transistor é perdida. O transistor não se destina a operar na região de ruptura. Este efeito é comumente conhecido como efeito punch-through.
• A resistência dinâmica de saída pode ser determinada a partir das características de saída. É dado por