Vishay lança novos MOSFETs duplos simétricos e que economizam espaço de 30 V

Vishay lanza nuevos MOSFET de 30 V simétricos duales que ahorran espacio

Vishay Intertechnology ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia simétricos de canal n dual de 30 V que combinan MOSFET TrenchFET Gen V de lado alto y bajo en un único paquete PowerPAIR 3x3FS de 3,3 x 3,3 mm. Para la conversión de energía en aplicaciones de informática y telecomunicaciones, Vishay Siliconix SiZF5300DT y SiZF5302DT aumentan la eficiencia al tiempo que reducen el número de componentes y simplifican los diseños.

Se pueden utilizar MOSFET duales en lugar de dos dispositivos discretos en el paquete PowerPAK 1212, lo que ahorra un 50 % de espacio en la placa, y al mismo tiempo ofrece un 63 % menos de espacio que los MOSFET duales del PowerPAIR 6x5F.

Los MOSFET brindan a los diseñadores soluciones que ahorran espacio para convertidores reductores síncronos, conversión de punto de carga (POL) y módulos CC/CC en computadoras portátiles con suministro de energía USB-C, servidores, ventiladores de enfriamiento de CC y equipos de telecomunicaciones.

En estas aplicaciones, los MOSFET de lado alto y bajo del SiZF5302DT forman una combinación optimizada para ciclos de trabajo del 50 % y la mejor eficiencia de su clase, en particular de 1 A a 4 A, mientras que el SiZF5300DT proporciona una combinación optimizada para cargas pesadas en la gama 12 15 A.

Los modelos SiZF5300DT y SiZF5302DT aprovechan la tecnología de 30 V Gen V de Vishay para una resistencia y carga de compuerta óptimas. El SiZF5300DT proporciona una resistencia de encendido típica de 2,02 mΩ a 10 V y 2,93 mΩ a 4,5 V, mientras que el SiZF5302DT proporciona una resistencia de encendido típica de 2,7 mΩ a 10 V y 4,4 mΩ a 4,5 v.

La carga de puerta típica para MOSFET de 4,5 V es de 9,5 nC y 6,7 nC, respectivamente. La carga de puerta de tiempos de resistencia ultrabaja resultante (una figura de mérito clave (FOM) para los MOSFET utilizados en aplicaciones de conversión de energía) es un 35 % menor que las soluciones de la generación anterior con resistencia similar.

Para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, el resultado es un aumento del 2 % en la eficiencia, lo que permite una eficiencia del 98 % a 100 W.

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