STMicroelectronics ha lanzado dos módulos STPOWER que contienen MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V en configuraciones populares. Cada uno utiliza la tecnología de paquete ACEPACK 2 de ST para garantizar una alta densidad de potencia y un montaje simplificado.
El primero de los nuevos módulos, el A2F12M12W2-F1, es un módulo de cuatro unidades que proporciona una solución de puente completo conveniente y compacta para circuitos como convertidores CC/CC.
Otro módulo, el A2U12M12W2-F2, emplea una topología tipo T de tres niveles para combinar alta conducción y eficiencia de conmutación con una calidad constante del voltaje de salida.
Los MOSFET en estos módulos aprovechan la tecnología SiC de segunda generación de ST, que tiene un excelente valor de área de matriz RDS(on) x para garantizar una alta capacidad de manejo de corriente con pérdidas mínimas. Con un RDS (encendido) típico de 13 mΩ por matriz, las topologías de puente completo y tipo T sirven aplicaciones de alta potencia y garantizan una excelente eficiencia energética con una gestión térmica simplificada debido a la baja disipación.
El paquete ACEPACK 2 tiene dimensiones compactas y garantiza una alta densidad de potencia, con un sustrato de alúmina eficiente y una matriz de unión directa de cobre (DBC). Las conexiones externas son pasadores a presión que simplifican el montaje en equipos para entornos potencialmente hostiles, como vehículos eléctricos (EV) y conversión de energía para estaciones de carga, almacenamiento de energía y energía solar. El paquete proporciona aislamiento de 2,5 kVrms y contiene un sensor de temperatura NTC integrado que se puede utilizar para diagnóstico y protección del sistema.