STMicroelectronics ha comenzado la producción en volumen de dispositivos PowerGaN HEMT (transistor de alta movilidad de electrones) en modo electrónico que simplifican el diseño de sistemas de conversión de energía de alta eficiencia. Los transistores STPOWER GaN aumentan el rendimiento en aplicaciones como adaptadores de pared, cargadores, sistemas de iluminación, fuentes de alimentación industriales, aplicaciones de energía renovable y en electrificación automotriz.
Los dos primeros productos de la familia, SGT120R65AL y SGT65R65AL, son G-HEMT normalmente apagados de 650 V con calificación industrial en un paquete de montaje en superficie PowerFLAT 5×6 HV. Tienen clasificaciones de corriente de 15 A y 25 A respectivamente, con una resistencia de unión típica (RDS (activado)) de 75 mΩ y 49 mΩ a 25 °C.
Además, la carga total del puerto de 3 nC y 5,4 nC y las bajas capacitancias parásitas garantizan pérdidas de energía mínimas al encender/apagar. Una conexión de fuente Kelvin permite un accionamiento de puerta optimizado. Además del tamaño y peso reducidos de las fuentes de alimentación y los adaptadores, los dos nuevos transistores GaN proporcionan mayor eficiencia, temperaturas de funcionamiento más bajas y una vida útil más larga.
En los próximos meses, ST presentará nuevas variantes de PowerGaN, es decir, dispositivos calificados para automóviles, así como opciones de paquetes de energía adicionales, incluidos PowerFLAT 8x8 DSC y LFPAK 12x12 para aplicaciones de alta potencia.
Los dispositivos G-HEMT de ST facilitan la transición a la tecnología GaN de banda ancha para la conversión de energía. Los transistores GaN con el mismo voltaje de ruptura y RDS (encendido) que las alternativas de silicio pueden lograr una carga de puerta completa y capacitancias parásitas más bajas, con carga de recuperación inversa cero. Estas propiedades aumentan la eficiencia y mejoran el rendimiento de conmutación al permitir una frecuencia de conmutación más alta, lo que permite componentes pasivos más pequeños, aumentando así la densidad de potencia. Por lo tanto, las aplicaciones pueden volverse más pequeñas con mayor rendimiento.
En el futuro, también se espera que GaN permita nuevas topologías de conversión de energía que mejorarán aún más la eficiencia y disminuirán las pérdidas de energía.