STMicroelectronics, un proveedor global de semiconductores que atiende a clientes en todo el espectro de aplicaciones electrónicas, ha lanzado módulos de alta potencia para vehículos eléctricos que aumentan el rendimiento y el alcance. Los nuevos módulos de potencia de carburo de silicio (SiC) de ST han sido seleccionados para la plataforma de vehículos eléctricos (EV) E-GMP de Hyundai, compartida por el KIA EV6 y varios modelos.
Cinco nuevos módulos de potencia basados en SiC-MOSFET ofrecen opciones flexibles para los fabricantes de vehículos, que abarcan una selección de potencias nominales y soporte para voltajes de operación comúnmente utilizados en aplicaciones de transmisión de vehículos eléctricos.
Alojados en el paquete ACEPACK DRIVE de ST optimizado para aplicaciones de tracción, los módulos de potencia son confiables, gracias a la tecnología de sinterización, confiables y fáciles de integrar para los fabricantes en unidades de vehículos eléctricos. Internamente, los semiconductores de potencia clave son los MOSFET STPOWER SiC de tercera generación (Gen3) de ST, que combinan la figura de mérito más alta de la industria (RDS(ON) x área de matriz) con una potencia de conmutación muy baja y un excelente rendimiento en rectificación sincrónica.
"Las soluciones de carburo de silicio de ST están permitiendo a los principales fabricantes de equipos originales de automoción marcar el ritmo de la electrificación en el desarrollo de futuras generaciones de vehículos eléctricos", afirmó Marco Monti, presidente del Grupo Automotriz y Discreto de STMicroelectronics. "Nuestra tecnología SiC de tercera generación garantiza la mayor densidad de potencia y eficiencia energética, lo que da como resultado un rendimiento, autonomía y tiempo de carga superiores del vehículo".
Hyundai Motor Company, proveedor del mercado de vehículos eléctricos automotrices, ha elegido los módulos de potencia ACEPACK DRIVE SiC-MOSFET Gen3 de ST para su plataforma EV de generación actual, llamada E-GMP. En particular, los módulos alimentarán el Kia EV6.
“Los módulos de potencia basados en SiC-MOSFET de ST son la elección correcta para nuestros inversores de tracción, ya que permiten un mayor alcance. La cooperación entre nuestras dos empresas ha dado un paso significativo hacia vehículos eléctricos más sostenibles, aprovechando la continua inversión tecnológica de ST para ser el actor líder en semiconductores en la revolución de la electrificación”, dijo Sang-Cheol Shin, equipo de diseño de ingeniería de inversores de Hyundai Motor Group.
Como líder de la industria en esta tecnología, ST ya ha suministrado dispositivos STPOWER SiC a más de tres millones de turismos producidos en serie en todo el mundo. En comparación con los semiconductores de potencia de silicio convencionales, los dispositivos de SiC más pequeños pueden manejar voltajes operativos más altos que permiten una carga más rápida y una dinámica superior del vehículo. También aumenta la eficiencia energética, lo que aumenta el alcance y se puede aumentar la confiabilidad.
El SiC está ganando una adopción masiva en varios sistemas de vehículos eléctricos, como convertidores CC-CC, inversores de tracción y cargadores a bordo (OBC) con funcionamiento bidireccional listos para transferir energía del vehículo a la red. La estrategia de SiC de ST, como fabricante de dispositivos integrados (IDM), garantiza la calidad y seguridad del suministro para cumplir con las estrategias de electrificación de los fabricantes de automóviles.
Con la instalación de fabricación de sustratos de SiC totalmente integrada recientemente anunciada en Catania, que se espera que comience la producción en 2023, ST se está moviendo rápidamente para respaldar la rápida transición del mercado hacia la movilidad eléctrica.