Samsung Electronics, un proveedor global de tecnología de semiconductores avanzada, anunció que ha completado el desarrollo de la primera DRAM de gráficos Double Data Rate 7 (GDDR7) de la industria. Este año se instalará por primera vez en los sistemas de verificación de próxima generación de clientes clave, impulsando el crecimiento futuro del mercado de gráficos y consolidando aún más la tecnología de Samsung en el campo.
Tras el desarrollo por parte de Samsung de la primera DRAM GDDR6 de 24 Gbps de la industria en 2022, la oferta GDDR7 de 16 gigabit (Gb) de la compañía proporcionará la velocidad más alta de la industria hasta el momento. Las innovaciones en el diseño y empaquetado de circuitos integrados (CI) proporcionan una mayor estabilidad a pesar de las operaciones de alta velocidad.
“Nuestra DRAM GDDR7 ayudará a mejorar las experiencias de los usuarios en áreas que requieren un rendimiento gráfico excelente, como estaciones de trabajo, PC y consolas de juegos, y se espera que se expanda a aplicaciones futuras como IA, computación de alto rendimiento (HPC) y vehículos automotrices. ”, dijo Yongcheol Bae, vicepresidente ejecutivo del equipo de planificación de productos de memoria de Samsung Electronics. "La DRAM gráfica de próxima generación se lanzará al mercado en función de la demanda de la industria y planeamos continuar con nuestro liderazgo en la industria".
La GDDR7 de Samsung alcanza un impresionante ancho de banda de 1,5 terabytes por segundo (TBps), que es 1,4 veces mayor que los 1,1 TBps de la GDDR6 y presenta una velocidad de pin mejorada de hasta 32 Gbps. Las mejoras son posibles gracias al método de señalización de Modulación de Amplitud de Pulso (PAM3) adoptado para el nuevo estándar de memoria en lugar del No Retorno a Cero (NRZ) de generaciones anteriores. PAM3 permite transmitir un 50% más de datos que NRZ dentro del mismo ciclo de señalización.
Significativamente, en comparación con GDDR6, el último diseño es un 20% más eficiente energéticamente, con una tecnología de diseño de ahorro de energía optimizada para operaciones de alta velocidad. Para aplicaciones especialmente preocupadas por el uso de energía, como las computadoras portátiles, Samsung ofrece una opción de bajo voltaje operativo.
Para minimizar la generación de calor, se utiliza un compuesto de moldeo epoxi (EMC) con alta conductividad térmica en el material de embalaje, además de optimizar la arquitectura del CI. Estas mejoras reducen drásticamente la resistencia térmica en un 70 % en comparación con GDDR6, lo que contribuye a un rendimiento estable del producto incluso en condiciones de funcionamiento de alta velocidad.
