Infineon Technologies ha agregado HYPERRAM 3.0 a su cartera de soluciones de memoria de alto ancho de banda y bajo número de pines. El dispositivo presenta una nueva versión extendida de 16 bits de la interfaz HyperBus que duplica la velocidad de transferencia a 800 MBps.
Con HYPERRAM 3.0, Infineon ofrece una cartera de memorias de gran ancho de banda con bajo número de pines y bajo consumo de energía. Es ideal para aplicaciones que requieren expansión de RAM, incluido almacenamiento en búfer de video, automatización de fábricas, inteligencia artificial de las cosas (AIoT) y vehículo automotriz para todo (V2X), así como aplicaciones que requieren memoria de bloc de notas para cálculos matemáticos intensos.
“Con casi tres décadas de conocimiento en soluciones de memoria, estamos entusiasmados de traer al mercado otra primicia de la industria. Las nuevas soluciones de memoria HYPERRAM 3.0 logran un rendimiento por pin mucho mayor que las tecnologías existentes en el mercado, como PSRAM y SDR DRAM”, dijo Ramesh Chettuvetty, director senior de Aplicaciones y Marketing de la División Automotriz de Infineon. "Nuestras funciones de bajo consumo permiten un mejor consumo de energía sin sacrificar el rendimiento, lo que también hace que esta memoria sea ideal para soluciones industriales y de IoT".
HYPERRAM de Infineon es una memoria volátil independiente basada en PSRAM que ofrece una forma sencilla y rentable de agregar memoria de extensión. Las velocidades de datos son equivalentes a las de SDR DRAM, pero con un número de pines mucho menor y menores requisitos de energía. La mayor velocidad de transferencia de datos por pin de la interfaz HyperBus hace posible utilizar microcontroladores (MCU) con menos pines y PCB con menos capas.
Esto brinda oportunidades para diseños de menor complejidad y, por lo tanto, de costo optimizado para admitir aplicaciones específicas.
