Nexperia anunció que sus dispositivos GaN FET, que cuentan con tecnología GaN HEMT de alto voltaje de próxima generación en un empaque de montaje en superficie CCPAK con clip de cobre patentado, ahora están disponibles para los diseñadores de aplicaciones industriales y de energía renovable. Basándose en dos décadas de experiencia en el suministro de empaques SMD con clip de cobre de alta calidad y gran volumen, Nexperia ahora se enorgullece de extender su revolucionario enfoque de empaque a los interruptores GaN Cascode en CCPAK. El GAN039-650NTB, un FET de nitruro de galio (GaN) de 33 mΩ (típico) dentro del paquete de enfriamiento superior CCPAK1212i, marca el comienzo de una nueva era de semiconductores de banda ancha y empaques de clips de cobre. Esta tecnología ofrece ventajas para aplicaciones de energía renovable, como bombas de calor solares y residenciales, lo que mejora aún más el compromiso de Nexperia de desarrollar la última tecnología de componentes para aplicaciones sostenibles. También es adecuado para un amplio espectro de aplicaciones industriales, como servovariadores, fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS), servidores y telecomunicaciones.
El paquete de montaje en superficie CCPAK de Nexperia utiliza la innovadora y comprobada tecnología de paquete de clips de cobre de Nexperia para reemplazar los cables de unión internos. Esto reduce las pérdidas parásitas, optimiza el rendimiento eléctrico y térmico y mejora la confiabilidad del dispositivo. Para lograr una máxima flexibilidad de diseño, estos CCPAK GaN FET están disponibles en configuraciones de enfriamiento superior o inferior para mejorar aún más la disipación de calor.
La configuración Cascode del GAN039-650NTB le permite ofrecer conmutación y rendimiento en estado encendido superiores, con una puerta robusta que ofrece altos márgenes contra el ruido. Esta característica también simplifica los diseños de aplicaciones al eliminar la necesidad de controladores de puerta y circuitos de control complejos, lo que permite controlarlos cómodamente mediante controladores MOSFET de silicio estándar. La tecnología GaN de Nexperia mejora la estabilidad de conmutación y ayuda a reducir el tamaño del troquel en aproximadamente un 24 %. Además, el dispositivo R DS(on) se reduce a solo 33 mΩ (típico) a 25 °C, con un voltaje de umbral alto y un voltaje directo de diodo bajo.
Nexperia comienza el lanzamiento de la cartera CCPAK con el GAN039-650NTB con refrigeración superior de 33 mΩ (típico) y 650 V, y pronto presentará la variante con refrigeración inferior, GAN039-650NBB del mismo R DS (en adelante).