Nexperia, especialista en semiconductores, está ampliando sus opciones de empaque para su cartera de MOSFET NextPower de 80/100 V, que anteriormente solo estaban disponibles en LFPAK56E. Las opciones ahora incluyen los envases LFPAK56 y LFPAK88.
Estos dispositivos están diseñados para combinar una alta eficiencia con un comportamiento reducido de picos en aplicaciones de telecomunicaciones, computación de servidores, industriales, suministro de energía, carga rápida, USB-PD y control de motores.
La figura de mérito Qg*RDSon ha sido un foco de atención para los fabricantes de semiconductores que buscan mejorar la eficiencia de los conmutadores MOSFET.
Sin embargo, reducir implacablemente este número ha tenido la consecuencia no deseada de aumentar los niveles máximos cuando se enciende o apaga un MOSFET, lo que aumenta la cantidad de interferencia electromagnética (EMI) generada.
Habiendo identificado este problema como emergente, Nexperia comenzó a investigar cómo la modificación de otros parámetros de tecnología de procesos podría ayudar a resolverlo. Estos esfuerzos han dado como resultado los MOSFET NextPower 80/100V de la compañía con Qrr (carga de recuperación inversa) más baja, lo que les permite reducir significativamente la cantidad de picos durante las transiciones de conmutación y al mismo tiempo exhibir el mismo rendimiento de alta eficiencia que los MOSFET de la competencia, pero con una EMI más baja. . .
Al hacer que estos MOSFET NextPower 80/100V de alta eficiencia y pico bajo estén disponibles en LFPAK56 y LFPAK88, Nexperia no solo permite a los diseñadores reducir el tamaño de su aplicación y beneficiarse del paquete de clip de cobre, sino que también ofrece nuevas opciones para proyectos de ingenieros y clientes que buscan calificar fuentes adicionales para sus proyectos existentes.