KG ha ampliado su familia Prime Switch de alta potencia con el nuevo Press Pack IGBT (PPI) con diodos internos de rueda libre (FWD) en carcasas de discos cerámicos.
Este PPI está diseñado específicamente para aplicaciones de transmisión y distribución y es ideal para convertidores modulares multinivel (MMC) de alta corriente, variadores de media tensión, disyuntores de CC, convertidores de turbinas eólicas y sistemas de tracción.
El Prime Switch IGBT presenta un voltaje de bloqueo de 4,5 kV a 3000 A sin FWD y 2000 A con FWD. Al adaptarse a 3000 A PPI, Infineon ofrece diodos de rueda libre externos en cuatro diámetros de silicio diferentes, incluidos D1600U45X122, D2700U45X122, D3900U45X172 y D4600U45X172.
La tecnología IGBT de ranura de chip de alto voltaje combinada con la tecnología de paquete prensado de alta confiabilidad, probada en campo durante más de 40 años, brinda a los clientes una solución excelente y de alto rendimiento para aplicaciones de potencia ultra alta. Además, los dispositivos abren nuevas oportunidades para optimizar aplicaciones de alta potencia en términos de pérdidas, confiabilidad y costo.
La carcasa del PPI está sellada herméticamente y diseñada específicamente para resistir fallas inducidas por el sistema. De esta manera, PPI proporciona una resistencia extremadamente robusta a la rotura de la carcasa, así como una capacidad de "fallo corto". Para cubrir numerosas aplicaciones y rangos de potencia, el diseño innovador del conjunto de chips internos y la carcasa permite a Infineon crear una cartera de ajuste óptima con diferentes valores y topologías actuales.
El Prime Switch IGBT se puede reservar ahora. La próxima expansión del nuevo portafolio de la familia Prime Switch está programada para mediados o finales de 2022.