La creciente demanda de alta densidad de potencia está impulsando a los desarrolladores a adoptar un enlace de CC de 1500 V en sus aplicaciones para aumentar la potencia nominal por inversor y reducir los costos del sistema. Sin embargo, los sistemas basados en V CC de 1500 V también presentan más desafíos en el diseño del sistema, como la conmutación rápida a alto voltaje CC, que normalmente requiere una topología multinivel.
Esto conduce a un diseño complicado y a un número relativamente elevado de componentes.
Para abordar este desafío, Infineon Technologies presentó su cartera ampliada CoolSiC con soluciones de alto voltaje para proporcionar la base para sistemas fotovoltaicos, de carga de vehículos eléctricos y de almacenamiento de energía de próxima generación.
La cartera ampliada de CoolSiC ofrece MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 2 kV junto con un diodo de SiC de 2 kV para aplicaciones de hasta 1500 VCC . El nuevo MOSFET de SiC combina bajas pérdidas de conmutación y un alto voltaje de bloqueo en un dispositivo que idealmente puede cumplir con los requisitos de los sistemas de 1500 V CC .
La nueva tecnología CoolSiC de 2 kV ofrece un valor bajo de resistencia al drenaje de la fuente (R DS(on) ). Además, el diodo de cuerpo robusto es adecuado para conmutación rígida. La tecnología permite un margen de sobretensión suficiente y ofrece una tasa FIT diez veces menor causada por rayos cósmicos, en comparación con los MOSFET de SiC de 1700 V. Además, el rango operativo de voltaje de puerta extendido hace que los dispositivos sean fáciles de usar.
Este nuevo chip SiC MOSFET se basa en la avanzada tecnología SiC MOSFET de Infineon llamada M1H, que se lanzó recientemente. Los avances más recientes permiten una ventana de voltaje de compuerta significativamente mayor que mejora la resistencia para un tamaño de matriz determinado.
Al mismo tiempo, la ventana de voltaje de puerta más grande proporciona una alta robustez contra picos de voltaje relacionados con el controlador y el diseño en la puerta sin restricciones, incluso a altas frecuencias de conmutación. Infineon ofrece una línea de controladores de compuerta EiceDRIVER con aislamiento funcional de hasta 2,3 kV para admitir MOSFET de SiC de 2 kV.
