Los semiconductores de potencia basados en carburo de silicio (SiC) ofrecen varias ventajas, como alta eficiencia, densidad de potencia, resistencia al voltaje y confiabilidad. Esto crea oportunidades para nuevas aplicaciones e innovaciones tecnológicas mejoradas en las estaciones de carga.
Infineon Technologies anunció una colaboración con Infypower, un proveedor chino de carga de vehículos de nueva energía. Infineon suministrará a INFY dispositivos semiconductores de potencia MOSFET CoolSiC de 1200 V líderes en la industria para mejorar la eficiencia de las estaciones de carga de vehículos eléctricos.
"La colaboración entre Infineon e Infypower en el área de soluciones de carga de vehículos eléctricos (EV) proporciona una excelente solución tecnológica a nivel de sistema para la industria local de estaciones de carga de vehículos eléctricos", dijo el Dr. Peter Wawer, presidente de la división de energía industrial verde de Infineon. . . "Esto mejorará significativamente la eficiencia de la carga, acelerará las velocidades de carga y creará una mejor experiencia de usuario para los propietarios de vehículos eléctricos".
La alta densidad de potencia del SiC permite el desarrollo de cargadores compactos, livianos y de alto rendimiento, especialmente para estaciones de sobrealimentación y estaciones de carga de CC ultracompactas montadas en la pared.
En comparación con las soluciones tradicionales basadas en silicio, la tecnología SiC en las estaciones de carga de vehículos eléctricos puede aumentar la eficiencia en un uno por ciento, reduciendo las pérdidas de energía y los costos operativos. En una estación de carga de 100 kW, esto se traduce en un ahorro de electricidad de 1 kWh, un ahorro de 270 euros al año y una reducción de las emisiones de carbono en 3,5 toneladas. Esto impulsa la creciente adopción de dispositivos de alimentación de SiC en los módulos de carga de vehículos eléctricos.
"Con los más de 20 años de avance continuo de Infineon en la oferta de productos de SiC y la solidez de la tecnología integrada, Infypower puede consolidar y mantener su destacada posición tecnológica en la industria mediante la adopción de procesos de productos y soluciones de diseño de última generación", dijo. Qiu Tianquan, presidente de Infypower China. “También podemos establecer un nuevo estándar para la eficiencia de carga de los cargadores de CC para vehículos de nueva energía. Como resultado, los clientes pueden disfrutar de más comodidad y valor único, promoviendo el desarrollo saludable de la industria de carga de vehículos eléctricos”.
Como uno de los primeros fabricantes de semiconductores de potencia de SiC en utilizar tecnología de compuerta de trinchera para transistores, Infineon ha introducido un diseño avanzado que proporciona alta confiabilidad para los cargadores. Los dispositivos ofrecen un umbral de alto voltaje y un accionamiento de puerta simplificado. La tecnología CoolSiC MOSFET se ha sometido a pruebas de estrés maratónicas y pruebas de estrés de salto de voltaje de puerta antes de su lanzamiento comercial y posteriormente regularmente en forma de monitoreo para garantizar la máxima confiabilidad de puerta.
Al integrar los MOSFET CoolSiC de 1200 V de Infineon, el módulo de carga de CC de 30 kW de Infypower ofrece una amplia gama de potencia constante, alta densidad de potencia, mínima radiación e interferencia electromagnética, alto rendimiento de protección y alta confiabilidad. De esta manera, es adecuado para la demanda de carga rápida de la mayoría de los vehículos eléctricos, al tiempo que tiene una eficiencia un 1 por ciento mayor en comparación con otras soluciones del mercado. En consecuencia, se logran importantes ahorros de energía y reducciones líderes a nivel mundial en las emisiones de dióxido de carbono.