Infineon Technologies está lanzando sus micrófonos XENSIV MEMS de próxima generación que establecen un nuevo estándar en la industria. Los micrófonos IM69D127, IM73A135 e IM72D128 son las últimas incorporaciones a la creciente cartera de micrófonos de Infineon.
Combinados con modos de potencia seleccionables, los micrófonos MEMS son la combinación perfecta para la electrónica de consumo, como auriculares con cancelación activa de ruido, auriculares TWS, dispositivos de conferencia con capacidad de formación de haces, computadoras portátiles, tabletas o parlantes inteligentes con interfaces de usuario de voz.
Los casos de uso también incluyen aplicaciones industriales seleccionadas, como mantenimiento predictivo y seguridad.
Los micrófonos están diseñados para capturar señales de audio con la más alta precisión y calidad y se basan en la última tecnología MEMS Sealed Dual Membrane (SDM) de Infineon, que ofrece alta protección de entrada (IP57) a nivel de micrófono. El diseño MEMS sellado evita que entre agua o polvo entre la membrana y la placa posterior, lo que evita bloqueos mecánicos o problemas de fugas eléctricas que se observan comúnmente en los micrófonos MEMS.
Además, los micrófonos construidos con tecnología SDM se pueden utilizar para crear dispositivos IP68 con la clase de protección más alta, que requieren solo una protección de malla mínima.
El micrófono analógico IM73A135 presenta la mejor relación señal-ruido (SNR) de su clase de 73 dB(A) y un excelente punto de sobrecarga acústica (AOP) de 135 dB SPL (nivel de presión sonora). Su contraparte digital, el IM72D128, ofrece una SNR de 72 dB(A) y un AOP de 128 dB SPL.
El IM69D127 presenta un rendimiento similar condensado en un pequeño tamaño de paquete de 3,60 x 2,50 mm2 . Además, todos los dispositivos presentan una distorsión extremadamente baja (THD) incluso a niveles altos de presión sonora, una fase entre partes cercana y una adaptación de sensibilidad, así como una respuesta de frecuencia plana con un FRO (atenuación de baja frecuencia) bajo y un retardo de grupo ultra bajo. y modos de energía seleccionables.