Infineon Technologies ha introducido una nueva tecnología CoolSiC en su línea: el CoolSiC MOSFET 1200 V M1H. Este chip avanzado de carburo de silicio (SiC) se implementará en una cartera muy ampliada utilizando la popular familia Easy Module, con paquetes discretos que utilizan tecnología de interconexión .XT.
El chip M1H ofrece una gran flexibilidad y es adecuado para sistemas de energía solar, como inversores, que necesitan satisfacer los picos de demanda. El chip también es ideal para aplicaciones como carga rápida de vehículos eléctricos, sistemas de almacenamiento de energía y otras aplicaciones industriales.
Los últimos avances en la tecnología base CoolSiC permiten una ventana operativa de compuerta significativamente mayor que mejora la resistencia para un tamaño de matriz determinado.
Al mismo tiempo, la ventana operativa de puerta más grande proporciona confiabilidad contra picos de voltaje relacionados con el controlador y el diseño en la puerta sin restricciones, incluso a frecuencias de conmutación más altas. Junto con la tecnología de chip M1H, se han adoptado gabinetes relacionados en tecnología y variantes de paquete para permitir mayores densidades de energía y más opciones para que los ingenieros de diseño mejoren el rendimiento de las aplicaciones.
Mayor densidad de potencia
El M1H se integrará en la popular familia Easy para mejorar aún más los módulos Easy 1B y 2B. Además, también se lanzará un nuevo producto que mejora el módulo Easy 3B con el nuevo MOSFET CoolSiC de 1200V.
La implementación de nuevos tamaños de chips maximiza la flexibilidad y garantiza la cartera industrial más amplia. Con el chip M1H, la resistencia de los módulos se puede mejorar significativamente, haciendo que los dispositivos sean más confiables y eficientes.
Además, con una temperatura máxima de unión temporal de 175 °C, la capacidad de sobrecarga aumenta, lo que permite una mayor densidad de potencia y cobertura de eventos de falla. En comparación con su predecesor, el M1, el M1H implementó una pequeña adopción del RG interno, lo que permite optimizar fácilmente el comportamiento de conmutación. El comportamiento dinámico se mantiene con el chip M1H.
Resistencias ultrabajas
Además de la familia de módulos Easy, la cartera CoolSiC MOSFET 1200 V M1H incluye nuevas resistencias ultrabajas de 7 mΩ, 14 mΩ y 20 mΩ en los paquetes discretos TO247-3 y TO247-4.
Los nuevos dispositivos son fáciles de diseñar, especialmente debido a la sobreestimación y subestimación del voltaje de la puerta con el nuevo voltaje máximo de la fuente de la puerta de hasta -10 V, y vienen con especificaciones de capacidad de avalancha y cortocircuito.
La tecnología de interconexión .XT de Infineon, introducida anteriormente en el paquete D 2 PAK-7L, ahora también se implementa en una huella TO. Las capacidades de disipación térmica mejoran en más de un 30 % en comparación con una interconexión estándar. Como resultado, este beneficio térmico se puede utilizar para aumentar la producción de energía hasta en un 15%.
Alternativamente, se puede utilizar para aumentar la frecuencia de conmutación y reducir aún más los componentes pasivos en la carga de vehículos eléctricos, el almacenamiento de energía o los sistemas fotovoltaicos para aumentar la densidad de potencia y reducir el costo del sistema.
Sin cambiar las condiciones operativas del sistema, la tecnología .XT reducirá la temperatura de la unión MOSFET de SiC, aumentando significativamente la vida útil del sistema y las capacidades de ciclo de energía. Este es un requisito fundamental en aplicaciones como los servoaccionamientos.
Las nuevas incorporaciones de MOSFET M1H CoolSiC de 1200 V aumentan aún más el potencial de optimización para aplicaciones basadas en SiC, con una rápida implementación de energía limpia y eficiencia energética en un mundo global.
