Considere un transistor NPN en configuración de emisor común. En esta configuración, la corriente base es I _b es la corriente de entrada y la corriente del colector I _C es la corriente de salida.

Sabemos, I _C = I _C + I _b

y yo _C = αI _E + i _CBO

= (l _C + l _b ) + l _CBO o
I _C (1-α) = αI _b + I _CBO

I _C = (α/(1-α))I _b + I _CBO /(1-α)

Configuración de emisor común

Factor de ganancia actual

La relación entre la corriente del colector y la corriente de base se denomina relación de transferencia de corriente continua de CC o ganancia de CC. Se denota por β. _{Corriente continua} . Se suponía que sería la versión beta de DC.

Ganancia CC del emisor común β _{Corriente continua} = L _C /L _b

donde L _C y L _b son las corrientes de colector y base de un punto de operación específico en el rango lineal. Como el valor de la corriente base está en microamperios y es bajo, el valor _{de la corriente continua} β está en el rango de 10 a 500, según el tipo de transistor.

Ganancia de CA del emisor β _{La corriente directa} se define como la relación del pequeño cambio en la corriente del colector ΔI _b a un voltaje colector-emisor constante V _CE .

β _{Corriente continua} = ΔI _C /ΔI _E A TV _CE = constante

• Potencial eléctrico y diferencia de potencial.

Relación entre α _{Corriente Directa} y β _{Corriente Directa}

Sabemos que I _E = I _C + I _b —> I
División por I _C

YO _mi /yo _C = 1+(yo _segundo /yo _C )

1/α = 1 + (1/β) = (β+1) / β ( ∴ α = I _C / I _E y β = I _C / I _b )

α = β / (β+1) ——> ii

Si multiplicamos la ecuación anterior obtenemos
α(β+1) =β
αβ+α =β
α = β – αβ = β (1 – α)
β = α / (α+1) ——-> iiii

Ecuación (ii) ->
α = β / (β+1)
1-α = 1 – (β / (β+1)) ——>iv

De la ecuación (iii) se puede ver que β tiende a infinito cuando α tiende a 1.

Esto significa que la ganancia actual del transistor conectado al emisor es muy alta. Por este motivo se utilizan transistores conectados al emisor.

Sabemos que I _C = (αI _b / (1-α)) + I _CBO / (1-α) ->v

Como β+1 = 1 / (1-α) y 1-α= 1 / (β+1), tenemos

I _C = βI _b + (β+1)I _CBO ——->vi

El término "(β+1)I _CBO " es la corriente inversa en el circuito emisor. Se denota por I. _CEO .

_CEO de la UE = (β+1)I _CBO ——>vii

Como β es mucho mayor que I, I _CEO > I _CBO .

Reemplazando el valor de I _CEO en la ecuación vi obtenemos
I _C = βI _b + I _CEO ——->viii

Como β = α / (α+1), podemos escribir
_CEO de la UE = (α / (1-α)) I _CBO ——->ix

_{Director General} de la UE = I _{Director General} / (1-α)

• La corriente de fuga en el circuito emisor es mayor que la del circuito base. EU _CE es la corriente del colector que fluye cuando el circuito base-emisor se deja abierto y la unión colector-base tiene polarización inversa. Fluye en la misma dirección que la corriente normal del colector que fluye a través del transistor y depende de la temperatura.

Características del circuito emisor.

La figura anterior muestra la configuración experimental para determinar la característica estática de un transistor NPN en un circuito emisor. Dos fuentes de alimentación variables reguladas por CC, V _BB y V _CCC, están conectadas a los terminales de base y colector de un transistor.

• Se conectan un microamperímetro y un voltímetro para medir la corriente de base I. _b y V _SER y se conectan un miliamperímetro y un voltímetro para medir I _C y V _CE en el circuito.

Característica de entrada (V _SER versus me _b )V _CE = constante

Las características de entrada se obtienen registrando el voltaje base-emisor V _SER vs. corriente base I _b mantener V _CE constante. Las características se registran para diferentes valores de la tensión colector-emisor V. _CE .

Podemos derivar los siguientes puntos importantes de las características de entrada:

• Hay un límite, un voltaje de apagado Vγ, por debajo del cual la corriente de base I _b es muy pequeña. El valor del voltaje de encendido es de 0,5 V para transistores de Si y de 0,1 V para transistores GE.
• Después de la tensión de conexión, la corriente base I _b aumenta rápidamente cuando la tensión base-emisor V aumenta sólo ligeramente _SER . Sin embargo, cabe señalar que el valor de la corriente base no aumenta tan rápidamente como el de la característica de entrada de una configuración base común. Esto significa que la resistencia dinámica de entrada es baja en la configuración de emisor común. Sin embargo, en comparación con la configuración CB, es un poco mayor.
• Para un valor fijo de V _SER EU _b aumenta con V _CE reducido. Un valor grande de V _CE conduce a un voltaje inverso mayor en la unión PN de la base del colector. Esto aumenta la zona de agotamiento y reduce el ancho efectivo de la base, lo que a su vez reduce la corriente de base.
• La resistencia de entrada dinámica o de CA se puede determinar a partir de la característica de entrada. Se define como la relación entre un pequeño cambio en el voltaje base-emisor y el cambio resultante en la corriente base a un voltaje emisor constante.

• Factores que afectan la resistencia.

Características de salida (V _CE versus i _C ) en i _b = constante

• Las características de salida de las curvas del circuito emisor se obtienen registrando V _CE contra I _C para diferentes valores de I _b. La corriente del colector varía con V _CE para valores entre 0V y 1V. La corriente del colector varía con V _CE para valores entre 0V y 1V. Después de esto, la corriente del colector I _C se vuelve casi constante y alcanza valores de saturación. Los transistores funcionan en el rango por encima del voltaje de rodilla. Esta área se llama área activa. El experimento se repite para diferentes valores de I. _b .
• Las características de salida se pueden dividir en tres áreas. Ellos son

1. rango de saturación
2. Área de cultivo
3. Región activa

• En la figura anterior, el área activa es el área a la derecha de la ordenada V _CE = unas décimas de voltaje y por encima I _b = 0.
• Idealmente, si _VCE excede 0,7 V, la unión base-colector se polariza inversamente y el transistor entra en la región activa o lineal de su operación. Dado que la conexión base-colector tiene polarización inversa, _C se estabiliza y permanece casi constante para un valor dado de I _b a medida que V _CE continúa aumentando. De hecho, _C aumenta muy ligeramente a medida que aumenta V _CE debido a la expansión de la zona de agotamiento del colector base. Este fenómeno se llama efecto cuasi accidente.
• Si la corriente de base I _b es cero, hay una pequeña corriente de colector. Esto se llama corriente de fuga. Sin embargo, en la práctica, cuando la corriente de base es cero, la corriente del colector es cero. En esta condición, se dice que el transistor está bloqueado. La pequeña corriente de colector se llama corriente de colector inversa.
• Si su _CE alcanza una tensión suficientemente alta, la unión del colector con polarización inversa se rompe y, por tanto, la corriente del colector aumenta rápidamente. Si su _CE es superior a 40 V, el diodo colector se estropea y se pierde el funcionamiento normal del transistor. El transistor no está diseñado para funcionar en la región de ruptura. Este efecto se conoce comúnmente como efecto de perforación.
• La resistencia dinámica de salida se puede determinar a partir de las características de salida. esta dado por