A Samsung Electronics, fornecedora global de tecnologia de memória avançada, anunciou que desenvolveu a primeira e mais alta capacidade DDR5 DRAM de 32 gigabit (Gb) do setor usando tecnologia de processo de classe de 12 nanômetros (nm). Essa conquista ocorre depois que a Samsung iniciou a produção em massa de sua DRAM DDR5 de 16 Gb de classe de 12 nm em maio de 2023. Ela solidifica a liderança da Samsung em tecnologia DRAM de próxima geração e sinaliza o próximo capítulo de memória de alta capacidade.
“Com nossa DRAM de 32 Gb de classe de 12 nm, garantimos uma solução que permitirá módulos DRAM de até 1 terabyte (TB), permitindo-nos estar idealmente posicionados para atender à crescente necessidade de DRAM de alta capacidade na era da IA (Inteligência Artificial) e big data”, disse SangJoon Hwang, vice-presidente executivo de produto e tecnologia DRAM da Samsung Electronics. “Continuaremos a desenvolver soluções DRAM por meio de processos diferenciados e tecnologias de design para quebrar os limites da tecnologia de memória.”
Aumentando a capacidade DRAM
Tendo desenvolvido a sua primeira DRAM de 64 quilobits (Kb) em 1983, a Samsung conseguiu agora aumentar a sua capacidade DRAM num factor de 500.000 nos últimos 40 anos.
O mais novo produto de memória da Samsung, desenvolvido usando processos e tecnologias de ponta para aumentar a densidade de integração e otimização de design, possui a maior capacidade do setor para um único chip DRAM e oferece o dobro da capacidade de 16 Gb DDR5 DRAM no mesmo tamanho de pacote.
Anteriormente, os módulos DRAM DDR5 de 128 GB fabricados com DRAM de 16 Gb exigiam o processo Through Silicon Via (TSV). No entanto, ao usar a DRAM de 32 Gb da Samsung, o módulo de 128 GB agora pode ser produzido sem usar o processo TSV, reduzindo ao mesmo tempo o consumo de energia em aproximadamente 10% em comparação com módulos de 128 GB com DRAM de 16 Gb. Este avanço tecnológico torna o produto a solução ideal para empresas que enfatizam a eficiência energética, como data centers.
Com sua DRAM DDR5 de 32 Gb de classe de 12 nm como base, a Samsung planeja continuar expandindo sua linha de DRAM de alta capacidade para atender às demandas atuais e futuras da indústria de computação e TI. A Samsung reafirmará sua liderança no mercado de DRAM de próxima geração, fornecendo DRAM de 32 Gb de classe de 12 nm para data centers, bem como para clientes que necessitam de aplicações como IA e computação de próxima geração. O produto também desempenhará um papel importante na colaboração contínua da Samsung com outros intervenientes importantes da indústria.
A produção em massa da nova DRAM DDR5 de 32 Gb da classe 12 nm está programada para começar no final deste ano.