STMicroelectronics inicia produção em volume de dispositivos PowerGaN

STMicroelectronics inicia produção em volume de dispositivos PowerGaN

A STMicroelectronics iniciou a produção em volume de dispositivos PowerGaN HEMT (transistor de alta mobilidade eletrônica) de modo eletrônico que simplificam o projeto de sistemas de conversão de energia de alta eficiência. Os transistores STPOWER GaN aumentam o desempenho em aplicações como adaptadores de parede, carregadores, sistemas de iluminação, fontes de alimentação industriais, aplicações de energia renovável e na eletrificação automotiva.

Os dois primeiros produtos da família, o SGT120R65AL e o SGT65R65AL, são G-HEMT normalmente desligados de 650 V com qualificação industrial em um pacote de montagem em superfície PowerFLAT 5 × 6 HV. Eles têm classificações de corrente de 15A e 25A, respectivamente, com resistência de ligação típica (RDS(on)) de 75mΩ e 49mΩ a 25°C.

Além disso, a carga total da porta de 3nC e 5,4nC e as baixas capacitâncias parasitas garantem perdas mínimas de energia ao ligar/desligar. Uma conexão de fonte Kelvin permite acionamento otimizado do portão. Além do tamanho e peso reduzidos das fontes de alimentação e adaptadores, os dois novos transistores GaN proporcionam maior eficiência, menor temperatura operacional e maior vida útil.

Nos próximos meses, a ST apresentará novas variantes PowerGaN, ou seja, dispositivos qualificados para automóveis, bem como opções adicionais de pacotes de energia, incluindo PowerFLAT 8×8 DSC e LFPAK 12×12 para aplicações de alta potência.

Os dispositivos G-HEMT da ST facilitam a transição para a tecnologia GaN wide-bandgap na conversão de energia. Transistores GaN com a mesma tensão de ruptura e RDS (on) que as alternativas de silício podem atingir carga total de porta e capacitâncias parasitas mais baixas, com carga de recuperação reversa zero. Essas propriedades aumentam a eficiência e melhoram o desempenho da comutação, permitindo maior frequência de comutação que permite componentes passivos menores, aumentando assim a densidade de potência. Os aplicativos podem, portanto, tornar-se menores com maior desempenho.

No futuro, espera-se também que o GaN permita novas topologias de conversão de energia que irão melhorar ainda mais a eficiência e diminuir as perdas de energia.

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