Megatendências, incluindo digitalização, urbanização e eletromobilidade, equivalem a um aumento no consumo de energia. Ao mesmo tempo, a eficiência energética é mais importante do que nunca.
A Infineon Technologies está respondendo a essas megatendências e demandas relacionadas, oferecendo uma nova família de MOSFETs de carboneto de silício (SiC) CoolSiC 650 V para oferecer desempenho superior confiável, fácil de usar e econômico. Os dispositivos baseiam-se na tecnologia de ponta de vala SiC da Infineon e vêm em um formato D compacto2Pacote PAK SMD de 7 pinos com tecnologia de interconexão .XT.
Eles têm como alvo diversas aplicações de alta potência, incluindo servidores, telecomunicações, SMPS industriais, carregamento rápido de veículos elétricos, acionamentos de motores, sistemas de energia solar, armazenamento de energia e formação de baterias.
Os novos produtos oferecem melhor comportamento de comutação em correntes mais altas e carga de recuperação reversa 80% menor (Qrr) e carga da fonte de drenagem (Qoss) do que a melhor referência de silício. As perdas de comutação reduzidas permitem operações de alta frequência em sistemas menores, possibilitando maior eficiência e densidade de potência.
A tecnologia de trincheira é a base para uma confiabilidade superior do óxido de comporta. Juntos, com uma robustez aprimorada contra avalanches e curto-circuitos, isso garante a mais alta confiabilidade do sistema, mesmo em ambientes adversos. Os MOSFETs SiC são adequados para topologias com comutação difícil e repetitiva, bem como para operações severas e de alta temperatura. Graças a uma resistência muito baixa (RDS(ativado)) dependência da temperatura apresentam excelente comportamento térmico.
Apresentando uma ampla tensão do portão à fonte (VGS) variam de -5 a 23 V e suportam 0 V de desligamentoGS e uma tensão limite de porta-fonte (VGS(º)) superior a 4 V, a nova família também funciona com ICs gate driver MOSFET padrão.
Além disso, os novos produtos suportam topologias bidirecionais e total controlabilidade dv/dt, oferecendo custos e complexidade reduzidos do sistema, bem como facilidade de adoção e integração. A tecnologia de interconexão .XT melhora significativamente as capacidades térmicas do pacote. Até 30% de perda extra pode ser dissipada em comparação com uma interconexão padrão. Com dez novos produtos, o Infineon D2O portfólio PAK de 7 pinos de MOSFETs SiC é o mais granular do mercado.
