Nexperia oferece diodos de proteção ESD de capacitância ultrabaixa para aplicações automotivas

Nexperia oferece diodos de proteção ESD de capacitância ultrabaixa para aplicações automotivas

A Nexperia, especialista em semicondutores essenciais, anunciou uma extensão ao seu portfólio de diodos de proteção ESD de baixa fixação e capacitância ultrabaixa.

Este portfólio foi projetado para proteger linhas de dados de alta velocidade, como USB 3.2, HDMI 2.0, LVDS, monitores A/V automotivos, monitores e câmeras. Além disso, este portfólio também visa abordar os próximos links de vídeo de alta velocidade e as aplicações Ethernet MGbit da OPEN Alliance.

Essas últimas adições de produtos incluem PESD5V0C1BLS-Q e PESD5V0C1ULS-Q, ambos como dispositivos de linha única de 2 pinos com pacote compacto DFN1006BD-2 para flexibilidade de roteamento otimizada.

Além disso, PESD5V0C2UM e PESD5V0C2UM-Q estão disponíveis como dispositivos de 3 pinos para ambas as linhas diferenciais no DFN1006-3. Todas as variantes vêm em embalagens sem chumbo para melhorar o desempenho elétrico e a integridade do sinal.

Os diodos de fixação de tensão de descarga eletrostática (ESD) desempenham uma função vital, protegendo as interfaces de dados em subsistemas automotivos contra danos. No entanto, é importante que eles não degradem a integridade do sinal de dados nem afetem negativamente o desempenho da compatibilidade eletromagnética (EMC) dos sistemas que protegem.

A longa experiência da Nexperia no projeto de soluções de proteção ESD permitiu que esses diodos fornecessem o melhor desempenho de integridade de sinal da categoria devido à sua capacitância ultrabaixa do dispositivo (tão baixa quanto 0,3 pF). Para máxima flexibilidade de projeto, esses diodos são oferecidos no DFN1006-3 de linha dupla e no DFN1006BD-2 de linha única. Com as últimas embalagens tendo flancos laterais molháveis ​​para permitir a inspeção óptica automatizada.

Esses dispositivos automotivos com qualificação AEC-Q101 exibem comportamento de snapback profundo combinado com uma baixa resistência de 0,27 Ω, para maior robustez no nível do sistema e desempenho de fixação em interfaces de dados de alta velocidade.

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