A Infineon Technologies AG integrou com sucesso a tecnologia CoolGaN 600 V de transistor de injeção de porta incorporado em dreno híbrido (HD-GIT) em sua fabricação interna. A empresa está agora lançando o portfólio completo de seus dispositivos GaN de alta qualidade para o mercado mais amplo.
Aproveitando a cadeia de suprimentos de propriedade e controle total da Infineon, o portfólio expandido de GaN inclui uma ampla gama de dispositivos GaN discretos e totalmente integrados que excedem em muito os requisitos de vida útil da JEDEC.
Os novos dispositivos CoolGaN foram otimizados para diversas aplicações, desde SMPS industriais para servidores, telecomunicações e energia solar até aplicações de consumo – como carregadores e adaptadores, acionamentos de motor, TV/monitor e sistemas de iluminação LED.
O portfólio de dispositivos CoolGaN de estágio de energia discreto e integrado (IPS) fornece aos projetistas a flexibilidade necessária para atender às suas necessidades específicas de aplicações industriais, em conformidade com os padrões JEDEC (JESD47 e JESD22). Os dispositivos CoolGaN GIT HEMT discretos estão disponíveis em pacotes DSO-20-85, DSO-20-87, HSOF-8-3, LSON-81- e TSON-8 e em múltiplas resistências no estado (R DS(ligado),máx.) valores variando de 42 a 340 mΩ.
As soluções IPS vêm na forma de dispositivos meia ponte e canal único. As soluções meia ponte integram dois switches GaN e estão alojadas em um pacote TIQFN-28 com R DS(ligado),máx. valores de (2x) 190-650 mΩ. Soluções de canal único estão disponíveis em um pacote TIQFN-21 termicamente aprimorado com R DS(ligado),máx. valores na faixa de 130-340 mΩ.
A tecnologia CoolGaN GIT da Infineon apresenta uma combinação única de uma estrutura de portão robusta, proteção interna contra descarga eletrostática (ESD) e excelente R dinâmico DS(ativado) desempenho. Ele explora totalmente as propriedades intrínsecas do GaN para fornecer valores de mérito (FoM) excepcionais em comparação com a tecnologia Si, como campo de ruptura dez vezes maior, mobilidade de elétrons duas vezes maior, carga de saída dez vezes menor, carga de recuperação reversa zero e dez vezes mais carga de porta inferior com capacitância de saída linear (C OSS).
Estas características técnicas proporcionam vantagens de design significativas, como R muito baixo DS(ativado)maior eficiência em circuitos ressonantes, uso de novas topologias e modulação de corrente, bem como comutação rápida e quase sem perdas.
A linha de dispositivos discretos CoolGaN 600 V GIT da Infineon inclui pacotes refrigerados na parte superior e inferior (TSC/BSC) em conformidade com JEDEC. Os pacotes de energia CoolGaN TSC são únicos no mercado e atendem a requisitos de energia mais elevados. Os benefícios para os projetistas são múltiplos, resultando em produtos compactos e leves com alta densidade de potência, maior eficiência energética e redução dos custos totais do sistema.
O compromisso da Infineon com os padrões de qualidade garante confiabilidade a longo prazo, reduzindo os custos operacionais e de manutenção para aplicações de alto consumo de energia.