À medida que a digitalização, a urbanização e a ascensão da eletromobilidade continuam a moldar o mundo em rápida evolução, a procura de consumo de energia atinge níveis sem precedentes. Reconhecendo a eficiência energética como uma preocupação importante, a Infineon Technologies aborda essas megatendências com seu carbeto de silício (SiC) CoolSiC MOSFET 650 V em embalagem TO leadless (TOLL).
Os novos MOSFETs SiC estão aprimorando o abrangente portfólio CoolSiC da Infineon e são otimizados para perdas mais baixas, maior confiabilidade e facilidade de uso em aplicações como SMPS para servidores, infraestrutura de telecomunicações, bem como sistemas de armazenamento de energia e soluções de formação de baterias.
Os MOSFETs SiC de potência baseados em vala de alto desempenho CoolSiC 650 V são oferecidos em um portfólio muito granular para melhor atender a diferentes aplicações alvo.
A nova família vem em um pacote TOLL qualificado pela JEDEC com baixa indutância parasita, permitindo maior frequência de comutação, perdas de comutação reduzidas, bom gerenciamento térmico e montagem automatizada. O formato compacto permite o uso eficiente e eficaz do espaço da placa, capacitando os projetistas de sistemas a alcançar uma densidade de potência excepcional.
Os MOSFETs CoolSiC 650 V apresentam confiabilidade notável mesmo em ambientes adversos, tornando-os uma escolha ideal para topologias com comutação difícil e repetitiva. A inclusão da inovadora tecnologia de interconexão .XT melhora ainda mais o desempenho térmico dos dispositivos, reduzindo a resistência térmica (R º) e impedância térmica (Z º).
Além disso, os novos dispositivos apresentam uma tensão limite de porta (V GS(º)) superior a 4 V para robustez contra ativação parasita, um diodo de corpo robusto e o óxido de porta mais forte (GOX) do mercado, resultando em taxas de FIT (falhas no tempo) extremamente baixas.
Enquanto uma tensão de corte (V GS(desligado)) de 0 V é geralmente recomendado para simplificar o circuito de acionamento (acionamento unipolar), o novo portfólio suporta um amplo intervalo de acionamento de V GS tensão dentro da faixa de -5 V (desligar) a 23 V (ligar). Isso garante facilidade de uso e compatibilidade com outros MOSFETs SiC e CIs de driver de porta MOSFET padrão. Isso é combinado com maior confiabilidade, menor complexidade do sistema e habilitação de montagem automatizada, reduzindo os custos do sistema e de produção e acelerando o tempo de lançamento no mercado.
