STMicroelectronics simplifica projetos de inversores SiC

STMicroelectronics simplifica projetos de inversores SiC

A STMicroelectronics lançou dois módulos STPOWER que contêm MOSFETs de carboneto de silício (SiC) de 1200V em configurações populares. Cada um usa a tecnologia de pacote ACEPACK 2 da ST para garantir alta densidade de potência e montagem simplificada.

O primeiro dos novos módulos, o A2F12M12W2-F1, é um módulo de quatro unidades que fornece uma solução de ponte completa conveniente e compacta para circuitos como conversores CC/CC.

Outro módulo, o A2U12M12W2-F2, emprega uma topologia tipo T de três níveis para combinar alta condução e eficiência de comutação com qualidade de tensão de saída consistente.

Os MOSFETs nesses módulos aproveitam a tecnologia SiC de segunda geração da ST, que possui um excelente valor de mérito RDS(on) x área de matriz para garantir alta capacidade de tratamento de corrente com perdas mínimas. Com RDS(on) típico de 13mΩ por matriz, as topologias de ponte completa e tipo T atendem aplicações de alta potência e garantem excelente eficiência energética com gerenciamento térmico simplificado devido à baixa dissipação.

O pacote ACEPACK 2 possui dimensões compactas e garante alta densidade de potência, com um substrato de alumina eficiente e fixação de matriz de cobre ligado diretamente (DBC). As conexões externas são pinos de encaixe por pressão que simplificam a montagem em equipamentos para ambientes potencialmente agressivos, como veículos elétricos (EVs) e conversão de energia para estações de carregamento, armazenamento de energia e energia solar. O pacote fornece isolamento de 2,5 kVrms e contém um sensor de temperatura NTC integrado que pode ser usado para proteção e diagnóstico do sistema.

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