A Nexperia anunciou que seus dispositivos GaN FET, apresentando tecnologia GaN HEMT de alta voltagem de última geração em embalagem de montagem em superfície CCPAK com clipe de cobre patenteado, agora estão disponíveis para designers de aplicações industriais e de energia renovável. Com base em duas décadas de experiência no fornecimento de embalagens SMD de clipe de cobre de alto volume e alta qualidade, a Nexperia agora tem orgulho de estender sua abordagem de embalagem revolucionária para interruptores cascode GaN em CCPAK. O GAN039-650NTB, um FET de nitreto de gálio (GaN) de 33 mΩ (típico) dentro do pacote de resfriamento superior CCPAK1212i, inaugura uma nova era de semicondutores de banda larga e embalagens com clipe de cobre. Essa tecnologia oferece vantagens para aplicações de energia renovável, como bombas de calor solares e residenciais, aumentando ainda mais o compromisso da Nexperia em desenvolver a mais recente tecnologia de componentes para aplicações sustentáveis. Também é adequado para um amplo espectro de aplicações industriais, como servo drives, fontes de alimentação comutadas (SMPS), servidores e telecomunicações.
O pacote de montagem em superfície CCPAK da Nexperia usa a tecnologia comprovada e inovadora de pacote de clipe de cobre da Nexperia para substituir fios de ligação interna. Isso reduz perdas parasitas, otimiza o desempenho elétrico e térmico e melhora a confiabilidade do dispositivo. Para máxima flexibilidade em projetos, esses CCPAK GaN FETs estão disponíveis em configurações de resfriamento superior ou inferior para melhorar ainda mais a dissipação de calor.
A configuração cascode do GAN039-650NTB permite oferecer comutação superior e desempenho no estado, com um portão robusto que oferece altas margens contra ruído. Esse recurso também simplifica os projetos de aplicações, eliminando a necessidade de drivers de porta e circuitos de controle complexos, permitindo que eles sejam convenientemente acionados usando drivers MOSFET de silício padrão. A tecnologia GaN da Nexperia melhora a estabilidade da comutação e ajuda a reduzir o tamanho da matriz em aproximadamente 24%. Além disso, o dispositivo RDS(ligado) é reduzido para apenas 33 mΩ (tip.) a 25°C, com uma tensão limite alta e baixa tensão direta de diodo.
A Nexperia inicia o lançamento do portfólio CCPAK com o GAN039-650NTB de 33 mΩ (típico) com refrigeração superior e 650 V, e em breve apresentará a variante com refrigeração inferior, GAN039-650NBB do mesmo RDS(ligado).
