Tecnologia de Innociência lançou um novo membro bidirecional de 100 V da família VGaN IC da empresa. A primeira família de dispositivos VGaN classificados como 40 V com uma ampla faixa de resistência (1,2 mOhm – 12 mOhm) foi implantada com sucesso no USB OVP de telefones celulares como OPPO, OnePlus, etc.
O novo 100V VGaN (INV100FQ030A) pode ser empregado para atingir alta eficiência em sistemas de gerenciamento de bateria (BMS) de 48V ou 60V, bem como para aplicações de comutação de carga alta em conversores bidirecionais, circuitos de comutação em sistemas de energia e outros campos. Tais dispositivos são ideais para aplicações como baterias residenciais, estações de carregamento portáteis, e-scooters, e-bikes, etc.
Um VGaN substitui dois MOSFETs Si back-to-back; eles são conectados com um dreno comum para obter comutação bidirecional de carga e descarga da bateria, reduzindo ainda mais a resistência e a perda significativamente em relação às soluções tradicionais de silício. A contagem de BOM, o espaço de PCB e os custos também são reduzidos de acordo.
O IC VGaN INV100FQ030A 100V suporta passagem bidirecional, corte bidirecional e modos de operação sem recuperação reversa. Os dispositivos apresentam uma carga de porta extremamente baixa de apenas 90nC, resistência dinâmica ultrabaixa de 3,2mΩ e um tamanho de pacote pequeno de 4x6mm.
Os produtos da série 100V GaN da Innoscience estão em produção em massa em embalagens En-FCQFN (resfriamento superior exposto) e FCQFN.
