A crescente demanda por alta densidade de potência está levando os desenvolvedores a adotar 1.500 VCC link em suas aplicações para aumentar a potência nominal por inversor e reduzir os custos do sistema. No entanto, 1500 VCCOs sistemas baseados em V também apresentam mais desafios no projeto do sistema, como a comutação rápida em alta tensão CC, que normalmente requer uma topologia multinível.
Isto leva a um design complicado e a um número relativamente elevado de componentes.
Para enfrentar esse desafio, a Infineon Technologies introduziu seu portfólio expandido CoolSiC com soluções de alta tensão para fornecer a base para sistemas fotovoltaicos, de carregamento de veículos elétricos e de armazenamento de energia de próxima geração.
O portfólio estendido CoolSiC oferece MOSFETs de carboneto de silício (SiC) de 2 kV, juntamente com um diodo SiC de 2 kV para aplicações de até 1500 V CC. O novo SiC MOSFET combina baixas perdas de comutação e alta tensão de bloqueio em um dispositivo que pode atender de maneira ideal aos requisitos de 1500 VCC sistemas.
A nova tecnologia CoolSiC de 2 kV oferece uma baixa fonte de drenagem na resistência (R DS(ativado)) valor. Além disso, o diodo de corpo robusto é adequado para comutação rígida. A tecnologia permite margem de sobretensão suficiente e oferece taxa FIT dez vezes menor causada por raios cósmicos, em comparação com MOSFETs SiC de 1700 V. Além disso, a faixa operacional estendida da tensão da porta torna os dispositivos fáceis de usar.
Este novo chip SiC MOSFET é baseado na avançada tecnologia SiC MOSFET da Infineon chamada M1H, que foi lançada recentemente. Os avanços mais recentes permitem uma janela de tensão de porta significativamente maior que melhora a resistência para um determinado tamanho de matriz.
Simultaneamente, a maior janela de tensão da porta fornece alta robustez contra picos de tensão relacionados ao driver e ao layout na porta, sem quaisquer restrições, mesmo em altas frequências de comutação. A Infineon oferece uma linha de gate drivers EiceDRIVER com isolamento funcional de até 2,3 kV para suportar MOSFETs SiC de 2 kV.
