Inociência anunciou novo, baixo RDS(ligado), dispositivos de alta potência em sua família cada vez maior de transistores de potência de modo de aprimoramento de 650 V/700 V. Novos 30, 50 e 70mΩ RSOBRE as peças estão disponíveis no pacote TOLL (TO-Leadless) padrão da indústria. A peça de 70 mΩ também está disponível como uma peça DFN 8×8.
Membros de uma nova plataforma de produtos de alta potência da Innoscience, os novos dispositivos INN650TA0x0AH e INN650DA070AH (DFN) abordam desafios em vários setores do mercado. Por exemplo, com a tecnologia de silício, é difícil atingir os padrões de eficiência mais recentes mantendo um tamanho de PSU pequeno. Uma demonstração da Innoscience baseada no transistor INN650TA030AH 650V/30mΩ GaN mostra um design de PFC Totem Pole de 4,2 kW que atende facilmente às especificações 80+ Titanium Plus. Os data centers que consomem muita energia agora exigem 1-2 kW/rack. Usando seus novos HEMTs, a Innoscience demonstrou uma PSU de 4,2 kW com uma densidade de potência de 130 W/in3 que atende a mais de 80 classificações de Titanium Plus. Para efeito de comparação, um conhecido fornecedor de fontes de alimentação para tais aplicações que usam dispositivos de silício está citando 46W/pol.3o que resultaria em uma unidade 40% maior.
