Superjunção de canal N STPOWER MDmesh M9 e DM9 da STMicroelectronics, Os MOSFETs de potência de silício com vários drenos são ideais para fontes de alimentação comutadas (SMPS) em aplicações que vão desde servidores de data center e infraestrutura 5G até televisores de tela plana.
Os primeiros dispositivos a serem lançados são o 650V STP65N045M9 e o 600V STP60N043DM9. Ambos têm baixa resistência (RDS(on)) por unidade de área, o que maximiza a densidade de potência e permite dimensões compactas do sistema. Cada um tem o melhor RDS(on) (RDS(on)max) máximo em sua categoria, 45mΩ para o STP65N045M9 e 43mΩ para o STP60N043DM9.
Com uma carga de porta (Qg) extremamente baixa – normalmente 80nC a uma tensão de dreno de 400V – esses dispositivos têm a melhor figura de mérito (FoM) RDS(on)max x Qg atualmente disponível.
A tensão limite de porta (VGS(th)) – normalmente 3,7 V para o STP65N045M9 e 4,0 V para STP60N043DM9 – minimiza as perdas de comutação de ativação e desativação em comparação com o MDmesh M5 e M6/DM6 anteriores. As séries MDmesh M9 e DM9 também apresentam uma carga de recuperação reversa (Qrr) e um tempo de recuperação reversa (trr) muito baixos, o que contribui ainda mais para melhorar a eficiência e o desempenho de comutação.
Uma outra característica das mais recentes tecnologias MDmesh de alta tensão da ST é um processo adicional de difusão de platina que garante um diodo corporal intrínseco rápido. A inclinação de pico de recuperação do diodo (dv/dt) é maior do que nos processos anteriores.
Todos os dispositivos pertencentes à tecnologia MDmesh DM9 são extremamente robustos e podem suportar dv/dt até 120V/ns a 400V.
