A Samsung Electronics, fornecedora de tecnologia de memória avançada, anunciou hoje que começou a produzir em massa uma célula de nível triplo (TLC) de 1 terabit (Tb) de oitava geração Vertical NAND (V-NAND) com a maior densidade de bits do setor. Com 1 TB, o novo V-NAND também apresenta a maior capacidade de armazenamento até o momento, permitindo maior espaço de armazenamento em sistemas de servidores corporativos de próxima geração em todo o mundo.
“À medida que a demanda do mercado por armazenamento mais denso e de maior capacidade impulsiona contagens mais altas de camadas V-NAND, a Samsung adotou sua avançada tecnologia de escala 3D para reduzir a área de superfície e a altura, evitando a interferência célula a célula que normalmente ocorre com a redução de escala. ”, disse SungHoi Hur, vice-presidente executivo de produto e tecnologia Flash da Samsung Electronics. “Nossa V-NAND de oitava geração ajudará a atender à crescente demanda do mercado e nos posicionará melhor para fornecer produtos e soluções mais diferenciados, que estarão na base das futuras inovações de armazenamento.”
A Samsung conseguiu atingir a maior densidade de bits do setor aumentando significativamente a produtividade de bits por wafer. Baseado na interface Toggle DDR 5.0 – o mais recente padrão flash NAND – o V-NAND de oitava geração da Samsung apresenta uma velocidade de entrada e saída (E/S) de até 2,4 gigabits por segundo (Gbps), um aumento de 1,2X em relação ao anterior geração.
Isso permitirá que o novo V-NAND acomode os requisitos de desempenho do PCIe 4.0 e, posteriormente, do PCIe 5.0.
Espera-se que o V-NAND de oitava geração sirva como base para configurações de armazenamento que ajudem a expandir a capacidade de armazenamento em servidores corporativos de próxima geração, ao mesmo tempo que estende seu uso ao mercado automotivo, onde a confiabilidade é especialmente crítica.
