A Samsung Electronics anunciou o desenvolvimento de sua DRAM DDR5 de 16 gigabit (Gb) construída usando a primeira tecnologia de processo de classe de 12 nanômetros (nm) da indústria. Também concluiu com êxito a avaliação do produto quanto à compatibilidade com AMD.
“Nossa DRAM de alcance de 12 nm será um facilitador chave para impulsionar a adoção de DRAM DDR5 em todo o mercado”, disse Jooyoung Lee, vice-presidente executivo de produto e tecnologia DRAM da Samsung Electronics. “Com desempenho e eficiência energética excepcionais, esperamos que nossa nova DRAM sirva como base para operações mais sustentáveis em áreas como computação de próxima geração, data centers e sistemas baseados em IA.”
Este salto tecnológico foi possível através do uso de um novo material de alto κ que aumenta a capacitância da célula e de uma tecnologia de design proprietária que melhora as características críticas do circuito. Combinada com litografia ultravioleta extrema (EUV) multicamadas avançada, a nova DRAM apresenta a maior densidade de matriz do setor, o que permite um ganho de 20% na produtividade do wafer.
“A inovação muitas vezes requer uma colaboração estreita com parceiros da indústria para ampliar os limites da tecnologia”, disse Joe Macri, vice-presidente sênior, membro corporativo e CTO de clientes, computação e gráficos da AMD. “Estamos entusiasmados em colaborar mais uma vez com a Samsung, especialmente no lançamento de produtos de memória DDR5 que são otimizados e validados em plataformas ‘Zen’.”
Aproveitando o mais recente padrão DDR5, a DRAM de classe de 12 nm da Samsung ajudará a desbloquear velocidades de até 7,2 gigabits por segundo (Gbps). Isso se traduz no processamento de dois filmes UHD de 30 gigabytes (GB) em apenas um segundo.
A velocidade excepcional da nova DRAM é acompanhada por uma maior eficiência energética. Consumindo até 23% menos energia do que a DRAM anterior, a DRAM de classe de 12 nm será uma solução ideal para empresas globais de TI que buscam operações mais ecológicas.
Com a produção em massa prevista para começar em 2023, a Samsung planeja ampliar sua linha de DRAM baseada nesta tecnologia de processo de ponta de classe de 12 nm para uma ampla gama de segmentos de mercado, à medida que continua a trabalhar com parceiros da indústria para apoiar a rápida expansão dos próximos computação de geração.
