KG expandiu sua família Prime Switch de alta potência com o novo Press Pack IGBT (PPI) com diodos de roda livre internos (FWD) em caixas de disco de cerâmica.
Este PPI foi projetado especificamente para aplicações de transmissão e distribuição e é ideal para conversores modulares multiníveis (MMC) de alta corrente, drives de média tensão, disjuntores CC, conversores de turbinas eólicas e sistemas de tração.
O Prime Switch IGBT apresenta tensão de bloqueio de 4,5 kV a 3.000 A sem FWD e 2.000 A com FWD. Adaptando-se ao PPI de 3000 A, a Infineon oferece diodos de roda livre externos em quatro diâmetros de silício diferentes, incluindo o D1600U45X122, D2700U45X122, D3900U45X172 e o D4600U45X172.
A tecnologia IGBT chip-trench de alta tensão combinada com a tecnologia press-pack de alta confiabilidade, comprovada em campo há mais de 40 anos, oferece aos clientes uma solução excelente e de alto desempenho para aplicações de potência ultra-alta. Além disso, os dispositivos abrem novas oportunidades para otimizar aplicações de alta potência em termos de perdas, confiabilidade e custo.
O invólucro do PPI é hermeticamente vedado e projetado especificamente para resistir a falhas induzidas pelo sistema. Desta forma, o PPI fornece uma resistência à ruptura extremamente robusta do invólucro, além de um recurso de “curto-em-falha”. Para cobrir inúmeras aplicações e faixas de potência, o design inovador do conjunto interno de chips e do invólucro permite que a Infineon crie um portfólio de ajuste ideal com diferentes valores de corrente e topologias.
O Prime Switch IGBT pode ser encomendado agora. A próxima expansão do portfólio da nova família Prime Switch está prevista para meados/final de 2022.
