STMicroelectronics, fornecedora global de semicondutores, e MACOM Technology Solutions Holdings, fornecedora de produtos semicondutores para as indústrias de telecomunicações, industrial, defesa e datacenter, anunciaram a produção bem-sucedida de nitreto de gálio-on silício de radiofrequência (RF GaN-on -Si) protótipos.
Com esta conquista, a ST e a MACOM continuarão a trabalhar juntas e a melhorar o nosso relacionamento.
RF GaN-on-Silicon oferece alto potencial para infraestrutura 5G e 6G. A tecnologia de potência de RF existente de longo prazo, semicondutor de óxido metálico difundido lateralmente (LDMOS), dominou os amplificadores de potência de RF (PAs) de primeira geração. O GaN pode oferecer características de RF superiores e potência de saída significativamente maior do que o LDMOS para esses PAs de RF.
Além do mais: ele pode ser fabricado em wafers de silício ou de carboneto de silício (SiC). RF GaN-on-SiC pode ser mais caro devido à competição por wafers de SiC de aplicações de alta potência e devido ao seu processamento de semicondutores não convencionais. Por outro lado, espera-se que a tecnologia GaN-on-Si em desenvolvimento pela ST e MACOM ofereça desempenho competitivo aliado a grandes economias de escala, possibilitadas pela sua integração em fluxos de processos de semicondutores padrão.
Os protótipos de wafers e dispositivos fabricados pela ST alcançaram metas de custo e desempenho que lhes permitiriam competir efetivamente com as tecnologias LDMOS e GaN-on-SiC existentes no mercado. Estes protótipos estão agora a avançar para os próximos grandes marcos – qualificação e industrialização.
A ST está no caminho certo para atingir esses marcos em 2022. Com esse progresso, a ST e a MACOM iniciaram discussões para expandir ainda mais seus esforços para acelerar a entrega de produtos avançados de RF GaN-on-Si ao mercado.
“Acreditamos que a tecnologia atingiu agora níveis de desempenho e maturidade de processo onde pode efetivamente desafiar o LDMOS e GaN-on-SiC estabelecidos e podemos oferecer vantagens atraentes de custo e cadeia de fornecimento para aplicações de alto volume, incluindo infraestrutura sem fio”, disse Edoardo Merli, gerente geral do subgrupo de transistores de potência e vice-presidente executivo da STMicroelectronics. “A comercialização de produtos RF GaN-on-Silicon é o próximo grande marco em nossa colaboração com a MACOM e, com o progresso contínuo, esperamos realizar plenamente o potencial desta tecnologia emocionante.”
“Juntos, continuamos a fazer bons progressos na migração da tecnologia GaN-on-Si para a comercialização e produção em alto volume”, acrescentou Stephen G. Daly, presidente e CEO da MACOM. “Nossa colaboração com a ST é uma parte importante de nossa estratégia de RF Power e estou confiante de que podemos ganhar participação de mercado em aplicações específicas onde a tecnologia GaN-on-Silicon atende aos requisitos técnicos.”
