ICs de driver de porta EiceDRIVER 2EDN de próxima geração estabelecem nova referência para fator de forma

ICs de driver de porta EiceDRIVER 2EDN de próxima geração estabelecem nova referência para fator de forma

A Infineon Technologies está lançando uma nova família de produtos EiceDRIVER 2EDN. Visando projetos com espaço limitado, os dispositivos de próxima geração complementam os CIs de driver 2EDN existentes, fornecendo maior eficiência no nível do sistema, excelente densidade de potência e robustez consistente do sistema com menos componentes externos.

Com base nesta expansão, a família 2EDN agora pode impulsionar o desempenho do dispositivo de comutação de energia em aplicações como servidores, telecomunicações, conversores DC-DC, SMPS industriais, estações de carregamento de veículos elétricos, controle de motores, veículos elétricos leves de baixa velocidade, ferramentas elétricas, Iluminação LED e sistemas de energia solar.

A nova família EiceDRIVER 2EDN é composta por CIs de gate-driver 4 A/5 A de canal duplo e lado inferior. Eles têm como alvo MOSFETs de potência rápida e dispositivos de comutação de banda larga (WBG). Os gate drivers permitem que os engenheiros atendam aos seus requisitos de projeto em diversos tamanhos de pacote, garantindo desligamento seguro antes do bloqueio de subtensão (UVLO) e reação UVLO mais rápida para operação confiável e imunidade a ruídos.

Os 14 novos dispositivos vêm em uma ampla variedade de embalagens. Além das conhecidas opções de pacote DSO, TSSOP e WSON de 8 pinos que permitem compatibilidade e substituição imediata, a Infineon agora oferece o menor pacote SOT23 de 6 pinos do mundo (2,8 x 2,9 mm2) e pacote TSNP (1,1 x 1,5 mm2) variantes.

Os pacotes SOT23 e TSNP eliminam o sinal de habilitação (EN), que frequentemente não é utilizado. Como resultado, eles oferecem o equilíbrio ideal para projetos com espaço limitado, levando a maior densidade de potência e maior robustez ao ciclo de temperatura a bordo (TCoB).

Os projetistas podem escolher entre opções UVLO de 4 V e 8 V para proteção instantânea do interruptor de energia sob condições anormais. Essencialmente, os novos produtos trazem melhor tempo de filtragem UVLO, um despertar mais rápido do status UVLO desligado e reação UVLO mais de duas vezes mais rápida desde a inicialização e modo burst. Além disso, eles apresentam saídas trilho a trilho precisas e de alta precisão e fixação rápida de saída ativa em V DD = 1,2 V, normalmente fixando em apenas 20 ns para maior robustez.

Conteúdo Relacionado

O novo VIPerGaN50 da STMicroelectronics simplifica a construção de...
A Infineon Technologies AG apresenta os novos MOSFETs CoolSiC...
Uma rede de sensores é incorporada em todos os...
O controlador do motor é um dos componentes mais...
ESP32-CAM é um módulo de câmera compacto que combina...
A evolução dos padrões USB foi fundamental para moldar...
A SCHURTER anuncia um aprimoramento para sua conhecida série...
A Sealevel Systems anuncia o lançamento da Interface Serial...
A STMicroelectronics introduziu Diodos retificadores Schottky de trincheira de...
Determinar uma localização precisa é necessário em várias indústrias...
A Samsung Electronics, fornecedora de tecnologia de memória avançada,...
O mercado embarcado tem uma necessidade de soluções de...
Você provavelmente já se deparou com o termo “diodo”,...
Quando você explora a área de Controle V/F dos...
Você provavelmente já se deparou com o termo 'arrastar'...
Voltar para o blog

Deixe um comentário

Os comentários precisam ser aprovados antes da publicação.