Os projetistas de sistemas de unidades de energia de tração (TPUs), unidades de energia auxiliares (APUs), transformadores de estado sólido (SSTs), acionamentos de motores industriais e soluções de infraestrutura de energia exigem tecnologia de comutação de alta tensão para aumentar a eficiência e reduzir o tamanho e o peso do sistema.
A Microchip Technology anunciou a expansão de seu portfólio de SiC com o lançamento dos MOSFETs SiC de 3,3 kV com menor resistência (RDS(on)) do setor e SBDs SiC com maior corrente nominal disponíveis no mercado, permitindo que os projetistas aproveitem a robustez, confiabilidade e desempenho.
Com a expansão do portefólio de SiC da Microchip, os designers estão equipados com as ferramentas para desenvolver soluções mais pequenas, mais leves e mais eficientes para transportes eletrificados, energias renováveis, aplicações aeroespaciais e industriais.
Muitos projetos baseados em silício atingiram seus limites em melhorias de eficiência, redução de custos de sistemas e inovação de aplicações. Embora o SiC de alta tensão forneça uma alternativa comprovada para alcançar esses resultados, a disponibilidade de dispositivos de energia SiC de 3,3 kV era limitada até agora.
Os MOSFETs e SBDs de 3,3 kV da Microchip juntam-se ao portfólio abrangente de soluções SiC da empresa que inclui matrizes de 700V, 1200V e 1700V, discretos, módulos e drivers de porta digital.
Os dispositivos de energia SiC de 3,3 kV da Microchip incluem MOSFETs com o RDS(on) mais baixo da indústria de 25 mOhm e SBDs com a classificação de corrente mais alta da indústria de 90 amperes. Tanto MOSFETs quanto SBDs estão disponíveis em forma de matriz ou pacote. Esses novos níveis de desempenho permitem que os projetistas simplifiquem seus projetos, criem sistemas de maior potência e usem menos componentes em paralelo para soluções de energia menores, mais leves e mais eficientes.
“Nós nos concentramos em desenvolvimentos que proporcionem aos nossos clientes a capacidade de inovar sistemas rapidamente e mover seus produtos finais para uma posição de vantagem competitiva com mais rapidez”, disse Leon Gross, vice-presidente da unidade de negócios de produtos discretos da Microchip. “Nossa nova família de produtos de energia SiC de 3,3 kV permite que os clientes migrem para SiC de alta tensão com facilidade, velocidade e confiança e se beneficiem das muitas vantagens desta tecnologia interessante em relação aos projetos baseados em silício.”
A Microchip lançou centenas de dispositivos e soluções de energia SiC para produção nos últimos três anos, garantindo que os projetistas possam encontrar a tensão, a corrente e o pacote adequados para seus requisitos de aplicação. Todos os MOSFETs e SBDs SiC da Microchip são projetados pensando na confiança do cliente, apresentando robustez e confiabilidade.
Os dispositivos da empresa são apoiados pela sua prática de obsolescência orientada para o cliente, o que garante que os dispositivos continuarão a ser produzidos enquanto os clientes precisarem deles.
Os clientes podem combinar os produtos Microchip SiC com outros dispositivos da empresa, incluindo microcontroladores (MCUs) de 8, 16 e 32 bits, dispositivos de gerenciamento de energia, sensores analógicos, toque, controladores de gestos e soluções de conectividade sem fio para criar soluções de sistema completas a um preço mais baixo. custo geral do sistema.
O portfólio expandido de SiC é suportado por uma variedade de modelos SiC SPICE compatíveis com módulos de simulador analógico MPLAB Mindi da Microchip e designs de referência de placa de driver. A Ferramenta de Configuração Inteligente (ICT) permite que os projetistas modelem configurações eficientes de driver de porta SiC para a família AgileSwitch de drivers de porta digital configuráveis da Microchip.
