O projeto de futuros sistemas eletrônicos de potência é continuamente impulsionado para melhorar o desempenho e a densidade de potência de última geração. Apoiando esta tendência, a Infineon Technologies lançou uma nova família de produtos PQFN Source-Down 3,3 x 3,3 mm² nas classes 25-150 V com variantes Bottom-Side (BSC) e Dual-Side Cooling (DSC).
A nova família de produtos oferece melhorias significativas no nível dos componentes para oferecer soluções atraentes na conversão de energia DC-DC, abrindo novas possibilidades para inovação de sistemas em aplicações de servidores, telecomunicações, OR, proteção de bateria, ferramentas elétricas e carregadores.
O novo portfólio combina a mais recente tecnologia MOSFET da Infineon com embalagens de alta qualidade para levar o desempenho do sistema ao próximo nível. No conceito Source-Down (SD), o contato da fonte da matriz MOSFET é virado em direção ao lado da pegada do pacote, que é então soldado ao PCB. Além disso, o conceito compreende um design de clipe aprimorado na parte superior do chip para o contato do dreno e a relação entre a área do chip e o pacote.
À medida que os fatores de forma do sistema diminuem continuamente, dois aspectos principais são essenciais: redução das perdas de energia e gerenciamento térmico ideal. Em comparação com os melhores dispositivos de drenagem PQFN de 3,3 x 3,3 m², a nova família melhora significativamente a resistência (R DS(ativado)) em até 25%.
O OptiMOS Source-Down PQFN da Infineon com Dual-Side Cooling fornece uma interface térmica aprimorada para redirecionar as perdas de energia do switch para o dissipador de calor. As variantes de resfriamento de lado duplo oferecem a maneira mais direta de conectar um interruptor de alimentação a um dissipador de calor, aumentando a capacidade de dissipação de energia em um fator de até três em comparação com a variante correspondente de fonte resfriada no lado inferior.
Duas variantes diferentes de área útil estão disponíveis para oferecer a mais alta flexibilidade para roteamento de PCB. Uma variante tradicional Standard-Gate fornece uma modificação rápida e fácil de projetos Drain-Down existentes. E uma variante Center-Gate (CG) abre novas possibilidades para dispositivos em paralelo para manter a conexão driver-gate o mais curta possível.
Com uma excelente capacidade de corrente contínua de até 298 A, toda a família de produtos OptiMOS Source-Down PQFN 3,3 x 3,3 mm² 25-150 V permite o mais alto desempenho do sistema.
