A Infineon Technologies introduziu uma nova tecnologia CoolSiC em sua linha: o CoolSiC MOSFET 1200 V M1H. Este chip avançado de carboneto de silício (SiC) será implementado em um portfólio amplamente estendido usando a popular família Easy Module – com pacotes discretos usando a tecnologia de interconexão .XT.
O chip M1H oferece alta flexibilidade e é adequado para sistemas de energia solar, como inversores, que precisam atender a picos de demanda. O chip também é ideal para aplicações como carregamento rápido de veículos elétricos, sistemas de armazenamento de energia e outras aplicações industriais.
Os mais recentes avanços da tecnologia base CoolSiC permitem uma janela de operação de gate significativamente maior que melhora a resistência para um determinado tamanho de matriz.
Simultaneamente, a janela maior de operação do portão fornece confiabilidade contra picos de tensão relacionados ao driver e ao layout no portão, sem restrições, mesmo em frequências de comutação mais altas. Juntamente com a tecnologia de chip M1H, os invólucros relacionados foram adotados em variantes de tecnologia e pacote para permitir densidades de potência mais altas e mais opções para os engenheiros de projeto melhorarem o desempenho da aplicação.
Maior densidade de potência
O M1H será integrado à popular família Easy para melhorar ainda mais os módulos Easy 1B e 2B. Além disso, também será lançado um novo produto que aprimora o módulo Easy 3B com o novo MOSFET CoolSiC de 1200 V.
A implementação de novos tamanhos de chips maximiza a flexibilidade e garante o mais amplo portfólio industrial. Com o chip M1H, a resistência dos módulos pode ser significativamente melhorada, tornando os dispositivos mais confiáveis e eficientes.
Além disso, com uma temperatura máxima de junção temporária de 175°C, a capacidade de sobrecarga aumenta, permitindo maior densidade de potência e cobertura de eventos de falha. Comparado ao seu antecessor, o M1, o M1H implementou uma pequena adoção do R interno G, permitindo que o comportamento de comutação seja facilmente otimizado. O comportamento dinâmico é mantido com o chip M1H.
Resistências ultrabaixas
Além da família de módulos Easy, o portfólio CoolSiC MOSFET 1200 V M1H inclui novas resistências ultrabaixas de 7 mΩ, 14 mΩ e 20 mΩ nos pacotes discretos TO247-3 e TO247-4.
Os novos dispositivos são fáceis de projetar, especialmente devido aos excessos e subestimações da tensão da porta com a nova tensão máxima da fonte da porta até -10 V, e vêm com especificações de capacidade de avalanche e curto-circuito.
A tecnologia de interconexão .XT da Infineon, anteriormente introduzida no D 2Pacote PAK-7L, agora também está implementado em uma pegada TO. As capacidades de dissipação térmica são aprimoradas em mais de 30% em comparação com uma interconexão padrão. Como resultado, esse benefício térmico pode ser usado para aumentar a potência de saída em até 15%.
Alternativamente, pode ser usado para aumentar a frequência de comutação para reduzir ainda mais os componentes passivos no carregamento de VE, armazenamento de energia ou sistemas fotovoltaicos para aumentar a densidade de potência e reduzir o custo do sistema.
Sem alterar as condições de operação do sistema, a tecnologia .XT reduzirá a temperatura da junção SiC MOSFET, aumentando significativamente a vida útil do sistema e as capacidades de ciclo de energia. Este é um requisito fundamental em aplicações como servoacionamentos.
As novas adições CoolSiC MOSFET M1H de 1200 V aumentam ainda mais o potencial de otimização para aplicações baseadas em SiC, com rápida implementação de energia limpa e eficiência energética em um mundo global.
