A Vishay Intertechnology lançou dois novos MOSFETs de potência simétricos de canal n duplo de 30 V que combinam MOSFETs TrenchFET Gen V de lado alto e baixo em um único pacote PowerPAIR 3x3FS de 3,3 x 3,3 mm. Para conversão de energia em aplicações de computação e telecomunicações, o Vishay Siliconix SiZF5300DT e SiZF5302DT aumentam a eficiência enquanto reduzem a contagem de componentes e simplificam os projetos.
Os MOSFETs duplos podem ser usados no lugar de dois dispositivos discretos no pacote PowerPAK 1212 – economizando 50% de espaço na placa – ao mesmo tempo que oferecem um espaço 63% menor do que os MOSFETs duplos no PowerPAIR 6x5F.
Os MOSFETs fornecem aos projetistas soluções que economizam espaço para conversores Buck síncronos, conversão de ponto de carga (POL) e módulos DC/DC em laptops com fornecimento de energia USB-C, servidores, ventiladores de resfriamento DC e equipamentos de telecomunicações.
Nessas aplicações, os MOSFETs de lado alto e baixo do SiZF5302DT formam uma combinação otimizada para ciclos de trabalho de 50% e a melhor eficiência da classe, em particular de 1 A a 4 A, enquanto o SiZF5300DT fornece uma combinação otimizada para cargas pesadas nos 12 faixa de 15 A.
O SiZF5300DT e o SiZF5302DT aproveitam a tecnologia 30 V Gen V da Vishay para resistência ideal e carga de portão. O SiZF5300DT fornece resistência de ligação típica de 2,02 mΩ a 10 V e 2,93 mΩ a 4,5 V, enquanto o SiZF5302DT apresenta resistência de ligação de 2,7 mΩ a 10 V e 4,4 mΩ a 4,5 V.
A carga de porta típica para os MOSFETs de 4,5 V é 9,5 nC e 6,7 nC, respectivamente. A carga de porta de tempos de resistência ultrabaixa resultante – uma figura chave de mérito (FOM) para MOSFETs usados em aplicações de conversão de energia – é 35% menor do que as soluções da geração anterior com resistência semelhante.
Para aplicações de comutação de alta frequência, o resultado é um aumento de 2% na eficiência, permitindo uma eficiência de 98% a 100 W.