A Taiwan Semiconductor apresenta os novos MOSFETs de potência 40V PerFET (Série NH) com um pacote PDFN33.
Os novos MOSFETs são construídos em estruturas e processos de dispositivos proprietários que permitem resistência no estado excepcionalmente baixa e figura de mérito de comutação (FOM – R*Q). A obtenção de 35% de redução de FOM, em comparação com a tecnologia anterior (Série NB), coloca este portfólio no topo do desempenho.
O valor de RDS(on) nas temperaturas (-55° a 150° C) apresenta menor variação devido ao menor coeficiente de temperatura (K). Esta plataforma inicial de canal N de 40 V inclui opções para requisitos de acionamento de porta padrão (10 V) e de nível lógico (5 V), preservando ao mesmo tempo uma resistência robusta de operação segura para transientes de tensão de comutação e problemas de avalanche em aplicações de comutação.
Características
• Resistência ultrabaixa
• 100% testado em UIS e Rg
• Compatível com RoHS
• Livre de halogênio, de acordo com IEC 61249‐2‐21
Formulários
• SMPS
• Conversores DC-DC
• Servidor e telecomunicações
• Motoristas
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