A Infineon Technologies AG apresenta os novos MOSFETs CoolSiC 2000 V no pacote TO-247PLUS-4-HCC para atender à demanda dos projetistas por maior densidade de potência sem comprometer a confiabilidade do sistema, mesmo sob condições exigentes de alta tensão e frequência de comutação. Os MOSFETs CoolSiC oferecem uma tensão de link CC mais alta para que a potência possa ser aumentada sem aumentar a corrente. É o primeiro dispositivo discreto de carboneto de silício com tensão de ruptura de 2.000 V no mercado e vem em um pacote TO-247PLUS-4-HCC com distância de fuga de 14 mm e distância de folga de 5,4 mm. Com baixas perdas de comutação, os dispositivos são ideais para sistemas solares (por exemplo, inversores string), bem como para sistemas de armazenamento de energia e aplicações de carregamento de veículos elétricos.
A família de produtos CoolSiC MOSFET 2000 V é ideal para sistemas de link CC alto com até 1500 V CC. Comparados aos MOSFETs SiC de 1700 V, os dispositivos também fornecem uma margem de sobretensão suficientemente alta para 1500 V. CC sistemas. Os MOSFETs CoolSiC fornecem uma tensão de limiar de gate de referência de 4,5 V e são equipados com um diodo de corpo robusto para comutação difícil. Devido à tecnologia de conexão .XT, os componentes oferecem desempenho térmico de primeira classe. Eles também são altamente resistentes à umidade.
Além dos MOSFETs CoolSiC de 2.000 V, a Infineon lançará em breve os diodos CoolSiC correspondentes: O primeiro lançamento será o portfólio de diodos de 2.000 V no pacote TO-247PLUS de 4 pinos no terceiro trimestre de 2024, seguido pelo 2.000 V Portfólio de diodos CoolSiC no pacote TO-247-2 no último trimestre de 2024. Esses diodos são particularmente adequados para aplicações solares. Um portfólio de gate driver correspondente também está disponível.
A família de produtos CoolSiC MOSFET 2000 V já está disponível. Além disso, a Infineon também oferece uma placa de avaliação adequada: a EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Os desenvolvedores podem usar a placa como uma plataforma de teste universal precisa para avaliar todos os MOSFETs e diodos CoolSiC de 2.000 V e a família de produtos EiceDRIVER Compact Single Channel Isolated Gate Driver 1ED31xx por meio de pulso duplo ou operação PWM contínua.
