Micron Technology, Inc. anunciou o envio em volume de seus produtos DRAM de nó 1α (1-alfa) construídos usando o que é atualmente a tecnologia de processo DRAM mais avançada do mundo. Ele oferece grandes melhorias em densidade de bits, potência e desempenho.
O marco complementa os recentes avanços da Micron com a memória gráfica mais rápida e a empresa é a primeira a lançar NAND de 176 camadas.
“Esta conquista do nó 1α confirma a excelência da Micron em DRAM e é um resultado direto do compromisso incansável da Micron com design e tecnologia de ponta”, disse Scott DeBoer, vice-presidente executivo de tecnologia e produtos da Micron. “Com uma melhoria de 40% na densidade de memória em relação ao nosso nó DRAM 1z anterior, este avanço criará uma base sólida para futuras inovações de produtos e memória.”
A Micron planeja integrar o nó 1α em seu portfólio de produtos DRAM este ano para oferecer suporte a todos os ambientes que usam DRAM atualmente. As aplicações para esta nova tecnologia DRAM são extensas e de longo alcance – melhorando o desempenho em tudo, desde dispositivos móveis até veículos inteligentes.
“Nossa nova tecnologia 1α DRAM permitirá a DRAM móvel de menor consumo de energia do setor, bem como trará os benefícios de nosso portfólio DRAM para data centers, clientes, consumidores e clientes industriais e automotivos”, disse Sumit Sadana, vice-presidente executivo e diretor de negócios na Micron. “Com nossa liderança no setor de tecnologia DRAM e NAND, a Micron está em uma excelente posição para alavancar o crescimento em memória e armazenamento, que deverão ser os segmentos de crescimento mais rápido na indústria de semicondutores na próxima década.”
O nó DRAM 1α da empresa facilitará soluções de memória mais eficientes e confiáveis em termos de energia e fornecerá velocidades operacionais LPDDR5 mais rápidas para plataformas móveis que exigem o melhor desempenho de LPDRAM da categoria. A inovação da Micron traz a DRAM móvel de menor consumo de energia do setor, com uma melhoria de 15% na economia de energia,1 permitindo que usuários móveis 5G executem mais tarefas em seus smartphones sem sacrificar a vida útil da bateria.
O nó de memória avançado suporta densidades de até 16 Gb, oferecendo a flexibilidade para sustentar muitos dos atuais produtos DDR4 e LPDDR4 da Micron, ao mesmo tempo que oferece aos seus servidores, clientes, redes e clientes integrados o suporte de produto estendido, confiável e com eficiência energética de que precisam.
Essa longevidade reduz o custo de requalificação do cliente dentro do ciclo de vida de seus próprios produtos. Ele também garante um melhor custo total de propriedade durante a vida útil do sistema em cenários de uso, como soluções automotivas incorporadas, PCs industriais e servidores de borda que normalmente têm vida útil mais longa.
