A EPC apresenta o EPC2361 GaN FET de 100 V, 1 mOhm em um pacote QFN compacto de 3 mm x 5 mm, oferecendo maior densidade de potência para conversão DC-DC, carregamento rápido, acionamentos de motor e MPPTs solares.
EPC, líder mundial em FETs e ICs de potência de nitreto de gálio (GaN) em modo de aprimoramento, lança o EPC2361 de 100 V, 1 mOhm. Este é o GaN FET com menor resistência do mercado, oferecendo o dobro da densidade de potência em comparação com os produtos da geração anterior da EPC.
O EPC2361 tem um R típicoDS(ligado) de apenas 1 mOhm em um pacote QFN termicamente aprimorado com uma parte superior exposta e uma pequena área ocupada de 3 mm x 5 mm. O R máximoDS(ligado) x A área do EPC2361 é 15 mΩ*mm2 — mais de cinco vezes menor que MOSFETs de silício de 100 V comparáveis.
Com sua resistência ultrabaixa, o EPC2361 permite maior densidade de potência e eficiência em sistemas de conversão de energia, levando à redução do consumo de energia e da dissipação de calor. Este avanço é particularmente significativo para aplicações como retificação síncrona AC-DC de fontes de alimentação de alta potência, conversão DC-DC de alta frequência para data centers, acionamentos de motores para mobilidade, robótica, drones e MPPTs solares.
“Nosso novo GaN FET de 1 mΩ continua a ultrapassar os limites do que é possível com a tecnologia GaN, capacitando nossos clientes a criar sistemas eletrônicos de potência mais eficientes, compactos e confiáveis”, comenta Alex Lidow, CEO e cofundador da EPC.
Quadro de desenvolvimento
A placa de desenvolvimento EPC90156 é uma meia ponte com o EPC2361 GaN FET. Ele foi projetado para tensão máxima do dispositivo de 100 V e corrente de saída máxima de xx A. O objetivo deste conselho é simplificar o processo de avaliação dos projetistas de sistemas de energia para acelerar o tempo de lançamento de seus produtos no mercado. Esta placa de 2” x 2” (50,8 mm x 50,8 mm) foi projetada para desempenho de comutação ideal e contém todos os componentes críticos para fácil avaliação.
Preço e disponibilidade
O EPC2361 custa US$ 4,60 cada em 3 volumes Ku.
A placa de desenvolvimento EPC90156 custa US$ 200,00 cada.
O produto está disponível por meio de qualquer um dos parceiros de distribuição da EPC ou pode ser pedido diretamente no site da EPC.
Os projetistas interessados em substituir seus MOSFETs de silício por uma solução GaN podem usar a ferramenta de referência cruzada do EPC GaN Power Bench para encontrar uma substituição sugerida com base em suas condições operacionais exclusivas. A ferramenta de referência cruzada pode ser encontrada aqui.
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