A STMicroelectronics, fornecedora global de semicondutores que atende clientes em todo o espectro de aplicações eletrônicas, construirá uma instalação integrada de fabricação de substrato de carboneto de silício (SiC) na Itália para atender à crescente demanda dos clientes da ST por dispositivos de SiC em aplicações automotivas e industriais à medida que fazem a transição para eletrificação e buscar maior eficiência.
STMicroelectronics construirá uma instalação integrada de fabricação de substrato de carboneto de silício na Itália para atender à crescente demanda por dispositivos de SiC.
A produção está prevista para começar em 2023, permitindo um fornecimento equilibrado de substrato de SiC entre o fornecimento interno e comercial.
A instalação de fabricação de substrato de SiC, construída nas instalações da ST em Catania, na Itália, juntamente com a instalação de fabricação de dispositivos de SiC existente, será a primeira do tipo na Europa para a produção em volume de substratos epitaxiais de SiC de 150 mm, integrando todas as etapas da produção. fluxo. A ST está comprometida em desenvolver wafers de 200 mm em um futuro próximo.
Este projeto é um passo fundamental no avanço da estratégia de integração vertical da ST para o seu negócio de SiC. O investimento de 730 milhões de euros ao longo de cinco anos será apoiado financeiramente pelo Estado italiano no âmbito do Plano Nacional de Recuperação e Resiliência e criará cerca de 700 empregos adicionais diretos em plena construção.
“A ST está transformando suas operações de fabricação globais com capacidade adicional na fabricação de 300 mm e um forte foco em semicondutores de banda larga para apoiar sua ambição de receita de US$ 20 bilhões ou mais. Estamos expandindo nossas operações em Catânia, o centro de nossa experiência em semicondutores de potência e onde já integramos pesquisa, desenvolvimento e fabricação de SiC com forte colaboração com entidades de pesquisa, universidades e fornecedores italianos”, disse Jean-Marc Chery, presidente e CEO da STMicroelectronics. “Esta nova instalação será fundamental para a nossa integração vertical no SiC, reforçando o nosso fornecimento de substrato de SiC à medida que aumentamos ainda mais os volumes para apoiar os nossos clientes automóveis e industriais na sua mudança para a eletrificação e maior eficiência.”
A liderança da ST em SiC é o resultado de 25 anos de foco e compromisso em P&D com um grande portfólio de patentes importantes. Catania é há muito tempo um importante local de inovação para ST, como sede das maiores operações de pesquisa e desenvolvimento e fabricação de SiC, contribuindo com sucesso para o desenvolvimento de novas soluções para a produção de mais e melhores dispositivos de SiC.
Com um ecossistema estabelecido em eletrônica de potência, incluindo uma colaboração bem-sucedida e de longo prazo entre ST e diferentes partes interessadas (a Universidade, o CNR (Conselho Nacional de Pesquisa Italiano), empresas envolvidas na fabricação de equipamentos e produtos), bem como um grande rede de fornecedores, este investimento fortalecerá o papel de Catânia como centro de competência global para tecnologia de carboneto de silício e para novas oportunidades de crescimento.
Os produtos STPOWER SiC de alto volume da ST são atualmente fabricados em suas fábricas em Catania e Ang Mo Kio (Singapura). A montagem e os testes são feitos em locais de back-end em Shenzhen (China) e Bouskoura (Marrocos). O investimento nesta instalação de fabricação de substrato de SiC baseia-se nesta experiência e é um marco significativo no caminho da ST para atingir 40% de fornecimento interno de substrato até 2024.
